【器件论文】300 至 673K 温度范围内 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管的实验电容-电压特性与模型电容-电压特性之间的相关性

        近期，由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 Physica B: Condensed Matter 发布了一篇名为 Correlation between Experimental and Modeled Capacitance-Voltage Characteristics of Ga₂O₃ Schottky Barrier Diode in Temperature Range of 300 to 673K（300 至 673K 温度范围内 Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管的实验电容-电压特性与模型电容-电压特性之间的相关性）的文章。

摘要

        该项目研究了 Pt/Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管（SBD）在 300–673 K 温度范围内的电容-电压特性的实验与模拟结果，其中模拟采用技术计算机辅助设计（TCAD）进行。Pt/Ga₂O₃ SBD 表现出良好的二极管性能，在 ±1.5 V 下的整流比约为 10⁶，与 TCAD 模拟结果高度吻合。随着温度升高，反向电流表现出与温度无关的特性，这归因于高质量的耗尽层阻止了额外自由电荷的产生。电容值随温度升高略有增加，这是由于耗尽层宽度的减小，这一现象也与 TCAD 模拟结果一致。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.physb.2025.416950