【外延论文】水热合成 α-GaO(OH) 结构的结构和光谱特性： 退火温度的影响

        由马来西亚国立大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为Structural and spectroscopic properties of Hydrothermally Synthesized α-GaO(OH) Structures: Impact of Annealing Temperatures（水热合成 α-GaO(OH)结构的结构和光谱特性： 退火温度的影响）的文章。

摘要

        该实验研究了通过热水合成方法制备的 α-GaO(OH) 的结构和光谱性质。所制备的薄膜分别在 350、450 和 550°C 的不同温度下进行了热处理。利用 X 射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、紫外-可见光（UV-VIS）光谱、拉曼光谱（Raman）和 X 射线光电子能谱（XPS）对薄膜进行了表征。制备的 α-Ga₂O₃ 薄膜呈现出菱形纳米棒结构，这种形貌有利于先进应用。拉曼光谱证实了在低温下 α-Ga₂O₃ 纳米晶体的菱形结构，并随着退火温度升高至 550°C，晶格振动和晶体结构发生了变化。通过扩散反射和 Tauc 图分析估算了 α-Ga₂O₃ 的光学带隙。结果表明，随着热处理温度的升高，带隙从 5.15 eV 减小至 4.52 eV，这主要是由于缺陷减少和晶体结构改善所致。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/adb17e