【国内论文】北京大学---超高电荷电子束激发下 β-Ga₂O₃ 的闪烁特性

        由北京大学的研究团队在学术期刊 Photonics 发布了一篇名为 Scintillation Properties of β-Ga₂O₃ Under the Excitation of Ultra-High-Charge Electron Bunches（超高电荷电子束激发下 β-Ga₂O₃ 的闪烁特性）的文章。

摘要

        在使用高亮度辐射源的应用中，超快闪烁体在超高剂量率下的性能至关重要。本文首次系统研究了 β-Ga₂O₃（作为一种高性能超快宽禁带半导体闪烁体）在 10⁷ 至 10⁹ Gy/s 的剂量率下的闪烁性能，采用了超导射频加速器生成的超短高电荷电子束（束电荷从 500 fC 到 50 pC）。研究结果表明，尽管剂量率极高，闪烁强度仍然与电子束电荷成线性关系。寿命分析显示，β-Ga₂O₃ 的闪烁寿命中包含一个快速衰减分量，衰减时间为 3 到 4 ns，并且具有一个平均寿命约为 20 ns。这些发现为应用 β-Ga₂O₃ 作为激光渚波场加速电子等高电荷电子源的闪烁材料奠定了坚实的基础。