【器件论文】g-ZnO/β-Ga₂O₃ 异质结的光电特性

        由内蒙古工业大学的研究团队在学术期刊 Physica Status Solidi (b) 发布了一篇名为 Photoelectric Properties of the g-ZnO/β-Ga₂O₃ Heterojunction（g-ZnO/β-Ga₂O₃ 异质结的光电特性）的文章。

摘要

        异质结结构通过独特的材料组合与界面调控，显著影响 β-Ga₂O₃ 基光电探测器的性能与功能。本研究基于第一性原理计算，系统分析了 g-ZnO/β-Ga₂O₃ 异质结的电子结构、光电特性及其作用机制。结果表明：g-ZnO/β-Ga₂O₃ 异质结为直接带隙半导体，其内部电场方向从 g-ZnO 层指向 β-Ga₂O₃ 层，在 200–310 nm 紫外波段表现出强光吸收特性与电场响应。异质结的导带偏移和价带偏移分别为 0.731 eV 和 2.231 eV，表明其具有高效的电荷传输能力。光生载流子转移机制遵循 S 型异质结模型，且满足 0–14 pH 范围内光催化水分解的需求。综上，g-ZnO/β-Ga₂O₃ 异质结是一种兼具光电子组件与光催化应用潜力的新型材料。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/pssb.202400595