【器件论文】可稳定 δ-Ga₂O₃ 的稳定性和半导体功能： 用于深紫外光探测的缓冲层工程

        由日本京都工艺纤维大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Electronic Materials 发布了一篇名为 Stabilization and Semiconductor Functionality of Metastable δ-Ga₂O₃: Buffer Layer Engineering for Deep UV Photodetection（可稳定 δ-Ga₂O₃ 的稳定性和半导体功能： 用于深紫外光探测的缓冲层工程）的文章。

摘要

        通过雾化学气相沉积法，展示了 δ-Ga₂O₃ 薄膜的外延生长及其半导体功能。采用 β-Fe₂O₃ 缓冲层在 bcc-ITO 电极上生长了高质量的 δ-Ga₂O₃ 薄膜，生长衬底为 YSZ（111）。X 射线衍射分析表明，形成了具有立方方铁锰矿结构的单相 δ-Ga₂O₃，清晰的 222 衍射峰出现在 33.6°。通过透射电子显微镜进一步验证了层间的外延关系和界面的锐利性，选区电子衍射图谱明确确立了立方方铁锰矿结构。光致发光激发光谱显示，δ-Ga₂O₃ 的吸收边缘位于 4.5 eV，且峰值出现在约 4.9 eV。通过垂直肖特基势垒光二极管结构首次展示了 δ-Ga₂O₃ 的半导体功能。该结构在深紫外区域表现出光响应性，最大值为 1.25 mA/W，出现在约 5.1 eV。研究结果验证了 δ-Ga₂O₃ 的存在，并突显了其在深紫外光电子学中的潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01971