【器件论文】高性能自供电 Ga₂O₃:Si/p-GaN 异质结紫外光检测器

        由越南科学技术院的研究团队在学术期刊 Materials Science in Semiconductor Processing 发布了一篇名为 High performance of self-powered Ga₂O₃:Si/p-GaN heterojunction UV photodetectors（高性能自供电 Ga₂O₃:Si/p-GaN 异质结紫外光检测器）的文章。

摘要

        高性能的紫外（UV）光电探测器因其广泛的潜在用途而备受关注。在此基础上，利用配备有波长中心为 266 nm 的掺钕钇铝石榴石（Nd：YAG）激光器的脉冲激光沉积（PLD）系统，制备了基于 β-Ga₂O₃:Si/p-GaN 异质结的自供电紫外光电探测器（PD）。随后，采用掺有 0.1 重量 % 硅的高纯度（99.9%）Ga₂O₃ 作为材料，通过溅射技术在 c 面蓝宝石衬底上沉积的 p-GaN 层上沉积 Ga₂O₃:Si 薄膜。通过在沉积过程中严格控制氧压，形成了高质量的 β-Ga₂O₃:Si 薄膜，这显著提高了器件性能。在自供电模式下，偏置电压为 0V 时，在氧压为 5 mTorr的条件下制备的光电探测器具有低暗电流（0.6 nA）、高光响应度（2.44 × 10⁻² A/W）和高探测率（2.45 × 10¹¹ cmHz^1/2W）的特性。这项研究代表了具有独特性能的自供电紫外光电探测器的初步成果，极大地推动了多功能紫外光电探测器的发展。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.109479