【器件论文】基于氧化镓的深紫外光电子忆阻器，用于仿生视觉处理和神经形态存储器应用

         由北京邮电大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Deep ultraviolet optoelectronic memristors based on gallium oxide for biomimetic visual processing and neuromorphic memory applications（基于氧化镓的深紫外光电子忆阻器，用于仿生视觉处理和神经形态存储器应用）的文章。

摘要

        深紫外光（DUV）在监测与通信等领域具有广泛应用潜力。然而，在传统深紫外光电探测器中，传感单元与存储单元分离的结构将带来更高的成本，并降低处理速度。研究团队报道了一种利用氧化镓（Ga₂O₃）制备的 DUV 光电忆阻器，用于模拟仿生视觉系统中的光电突触功能。所制器件表现出非易失性电阻切换行为，可有效模拟神经形态过程中的短期可塑性（STP）与长期可塑性（LTP），并在单次及重复光脉冲调制下实现上述功能。此外，还构建了一个 5 × 5 阵列器件结构，用于模拟学习、记忆形成与遗忘过程，并具备图像信息的存储与擦除功能。该工作不仅拓展了氧化镓作为超宽禁带半导体材料的应用范围，也为开发集成感知与存储功能于一体的人工智能系统提供了新思路，为未来类脑工程与仿生计算系统的技术进步奠定基础。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0259184