【器件论文】基于 Ga₂O₃ 的忆阻器器件、建模、特性及在低功耗神经形态计算中的应用研究进展

        由阿联酋大学的研究团队在学术期刊 Nanoscale 发布了一篇名为 Advances in Ga₂O₃-based memristor devices, modeling, properties, and applications for low power neuromorphic computing （基于 Ga₂O₃ 的忆阻器器件、建模、特性及在低功耗神经形态计算中的应用研究进展）的文章。

摘要

        大约十年前，人们发现极具吸引力的超宽禁带（4.6 - 4.9 eV）半导体氧化镓（Ga₂O₃），适用于下一代低功耗器件。由于其出色的性能以及在基于半导体的忆阻器技术领域中的众多应用机会，Ga₂O₃ 材料引起了大量科学和技术兴趣。本综述聚焦于用于智能技术的 Ga₂O₃ 薄膜忆阻器。忆阻器的电容特性对于适应非线性忆阻器响应非常重要。此外，本综述还深入探讨了 Ga₂O₃ 基忆阻器器件的理念、器件结构和制造工艺。为了改善器件的行为和性能，对许多建模和模拟技术进行了详细分析。此外，还详细讨论了用于研究人工光电突触特性的先进表征技术，如电学、结构和热学评估，这些特性对于在计算神经科学中的应用至关重要。突触活动表明，学习和记忆过程得益于类似于生物突触中的增强和抑制作用。最显著的成就在于在单一设备中实现了四态存储。这一想法得到了实证证据和模拟的支持，这些证据和模拟表明了存储和维持多种记忆状态的可能性。这项研究将氧化物半导体忆阻器确立为通往四态存储和改进突触功能的大门，为具有更大存储容量的光电子突触器件铺平了道路。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D4NR04865B