【国际论文】Ga₂O₃ UV-C 光电探测器的一致性报告

摘要

        该研究解决了 Ga₂O₃ 光探测器性能报告缺乏一致性的难题，并评估了光照强度、光照波长和电压偏置对光探测器响应度和时间响应的影响。该方法揭示了 Ga₂O₃ 光探测器工作期间的电子过程，并对材料的缺陷光谱提供了定性见解。更重要的是，该研究强调了通过选择性使用测试条件可以人为制造出高性能的假象，并对报告性能时的不当做法提出了警告，这些做法可能导致误导性的比较。最后，该研究为未来报告光探测器性能的工作提出了建议，以实现性能的标准化，从而能够在文献中进行公平的比较。这些建议不仅适用于 Ga₂O₃，也可应用于其他半导体材料。

图 1. 同一器件在氘灯（0.8 μW/cm²）与发光二极管（292 μW/cm²）和 10 V 偏压的 250 nm 光照射下的电流-时间图比较。如文中所述，上升和衰减时间基于 10%-90% 的数值。

图 2. 照明强度对 (a) 响应速度和 (b) 时间响应的影响。数据是在波长为 250 nm、偏压为 10 V 的照明条件下采集的。在（a）的插图中，显示了光电流与光照强度的对数关系，突出显示了幂律关系。在（b）的插图中，显示了时间响应与强度的对数图。

DOI：

doi.org/10.1063/5.0255413