【外延论文】HVPE 法生长的同质外延 β-Ga₂O₃ 薄膜的衬底取向影响

      由俄罗斯Ioffe研究所的研究团队在学术期刊 Materialia 发布了一篇名为 Effect of substrate orientation on homoepitaxial β-Ga₂O₃ films grown by HVPE（HVPE 法生长的同质外延 β-Ga₂O₃ 薄膜的衬底取向影响）的文章。

摘要

      氧化镓作为具有广阔前景的超宽禁带（UWBG）透明氧化物半导体。目前，它正被广泛用于功率电子器件的测试。外延生长是其制造的主要方法。在这一过程中，衬底取向起着关键作用，因为单斜晶系低对称性的氧化镓相在物理性质上具有高度各向异性。我们首次报道了在（100）和（-201）取向的本征衬底上通过氢化物气相外延（HVPE）生长的同质外延 β-Ga₂O₃ 层。将这些薄膜的结构特性与在传统（010）取向衬底上生长的薄膜进行了比较。所获得的层均为单相单晶，但在晶体完整性、化学成分均匀性和表面粗糙度方面存在显著差异。在（-201）晶面上实现了最高的生长速率，这表明该取向在器件结构中具有潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mtla.2025.102415