【器件论文】在宽带隙衬底上设计、模拟和比较基于 p-GaN 的 β-Ga₂O₃ FET

        由印度贾朗达尔国立技术学院的研究团队在学术期刊 Semiconductors 发布了一篇名为 Design, Simulation, and Comparison of p-GaN-based β-Ga₂O₃ FET on Wide Bandgap Substrates（在宽带隙衬底上设计、模拟和比较基于 p-GaN 的 β-Ga₂O₃ FET）的文章。

摘要

        β-Ga₂O₃ 和金刚石这两种新兴的宽禁带半导体，因其出色的材料特性，在下一代功率器件中有望成为 GaN 和 SiC 的替代品。本文重点评估了基于 p-GaN 的 β-Ga₂O₃ 场效应晶体管在不同宽禁带材料（包括 GaN、β-Ga₂O₃ 和金刚石）衬底上的模拟性能。p-GaN 层提供了稳定且可靠的阈值电压，从而减少了在传统 β-Ga₂O₃ 器件中使用肖特基栅结构时可能出现的栅极漏电流问题。研究对不同衬底材料所获得的结果进行了比较，并探讨了栅极长度和功函数变化对器件性能的影响。基于金刚石的场效应晶体管的阈值电压和 I_on/I_off 分别为 1.19 V 和 1.49 × 10¹²。通过分析转移特性、跨导和总电容等关键参数，突出了其在高性能模拟应用中的适用性。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c00134