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专家风采

【专家风采】赛青林 —— 联盟技术专家委员会委员

日期:2025-05-28阅读:40

个人介绍

赛青林

        研究员,2013年毕业于中国科学院上海光学精密研究所,获博士学位,师从夏长泰研究员(国内氧化镓材料研究开拓者)。2019年底,随齐红基研究员共同创立杭州富加镓业科技有限公司。2021年入选中国科学院青年创新促进会。目前主要从事氧化镓生长缺陷表征与控制等方向研究。开发出VB族等多种元素掺杂调控技术,获国际专利授权;发展并优化了了准封闭结构下动态气氛调控的导模法氧化镓生长工艺;在全局三维仿真的基础上,通过热场模块化拆解设计,实现了针对非旋转轴对称的热场局部精细设计与各向热场梯度解耦,完成了单晶直径2-6英寸放大以及12mm增厚,目前正致力于关键缺陷的生成机理及抑制研究。承担了国家自然科学基金、上海市科技攻关、ZF、国家重点研发计划课题等多项重大攻关项目,已累计发表论文20余篇,授权发明专利十余项。

 

专家寄语

        氧化镓(Ga₂O₃)以超宽禁带(4.8eV)、超高击穿场强(8MV/cm)等显著优势,正引领未来超宽禁带半导体变革。随着我国在导模法、垂直布里奇曼法、铸造法等技术上实现了6-8寸衬底的技术突破,产业竞争已从单晶尺寸较量转向材料性能的深度优化,缺陷调控、低成本熔体法工艺,高品质外延正逐步成为材料攻坚核心。当前应寻求特色应用场景,构建差异化优势,加速“材料-器件-应用”全链条协同与迭代,将氧化镓的理论潜能转化为产业话语权,助力我国在全球半导体变局中抢占先机。