【器件论文】用于超灵敏日盲紫外线光电探测器的掺铟 α-Ga₂O₃ 纳米棒阵列

        由湖北大学的研究团队在学术期刊 Journal of Materials Chemistry C 发布了一篇名为 Indium-doped α-Ga₂O₃ nanorod arrays for ultra-sensitive solar-blind UV photodetector（用于超灵敏日盲紫外线光电探测器的掺铟 α-Ga₂O₃ 纳米棒阵列）的文章。

摘要

        超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）作为下一代日盲紫外探测的有力候选材料，在火灾报警、光通信和紫外成像等潜在应用中展现出前景。然而，极慢的响应速度限制了 Ga₂O₃ 紫外探测器的进一步商业化进程。本研究设计了一种基于 In 掺杂 Ga₂O₃ 阵列的日盲紫外探测器，展现出具有竞争力的性能，其光电响应上升时间为 24.8 ms，下降时间为 27.6 ms，具有高探测率（1.55 × 10¹⁴  Jones）和高响应度（30.1 A/W）。空间电荷限制电流（SCLC）测量结果显示，In 掺杂可以有效降低光生载流子在输运过程中的陷阱态密度。此外，该探测器在1.5 μW/cm² 的低光强下依然能保持高性能工作。In 掺杂 Ga₂O₃ 紫外探测器在日盲区成像和光通信中的突出表现，显示了其在未来应用中的重要潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D5TC01300C