【衬底论文】基于光电辅助化学机械研磨氧化镓片工艺的实验研究

        由西安理工大学的研究团队在学术期刊 ECS Journal of Solid State Science and Technology 发布了一篇名为 Experimental Study of a Process Based on Photoelectrically Assisted Chemical-Mechanical Polishing of Gallium Oxide Wafers（基于光电辅助化学机械研磨氧化镓片工艺的实验研究）的文章。

摘要

        针对第四代半导体材料 β-Ga₂O₃ 衬底在抛光过程中出现的裂纹和加工效率低的问题，本研究基于 β-Ga₂O₃ 的半导体特性以及光电化学氧化反应原理，提出了一种创新的全局平面化加工方法。该方法融合了光学、电学、化学和机械等多能场。构建了光电化学机械抛光装置，并通过正交试验研究了抛光压力、抛光盘转速和电压变化等影响抛光效果的因素。结果表明，在粗抛阶段可实现 28.67 nm min⁻¹ 的材料去除率，在精抛阶段可获得表面粗糙度为 0.175 nm 的无损伤表面。

原文链接：

https://doi.org/10.1149/2162-8777/add0e4