【国际时事】FLOSFIA 实现全球首例突破，成功攻克氧化镓 p 型层技术难题

        近日，据 FLOSFIA 称，已成功实现基于氧化镓（α-Ga₂O₃）MOSFET 的常关型（Normally-off）大电流（超过 10 A）的运行。通过成功改进氧化镓功率半导体开发中长期被视为最大技术难点的 p 层（导电型p型半导体层）而实现的新成果。

        在制造氧化镓半导体 MOSFET 结构的过程中，p 层在发挥材料的高性能潜力方面具有本质性的重要作用。据 FLOSFIA 称，其他研究机构因现阶段技术难度较高，大多数并未采用 p 层，而是通过简化器件结构以规避这一难题。

        FLOSFIA 认为，为了发挥氧化镓材料的高性能（高耐压/低损耗）并实现实用化量产设备制造，采用 p 层的器件结构是非常有必要的。因此，通过该公司独有的 Mist-Dry 技术推动了氧化镓中 p 层的形成技术。在此基础上，FLOSFIA 已在 JBS（结势垒肖特基二极管）结构二极管中实现了产品级的样品验证。

        此次，FLOSFIA 进一步挑战技术难度更高的 MOSFET 结构的 p 层应用，通过高度改良自有技术，开发出新型 MOS 结构形成工艺，并成功将其集成到器件中。FLOSFIA 表示，这是世界首次在氧化镓 MOSFET 中实现常关型特性与大电流特性的重大突破。

        FLOSFIA 利用自主开发的 Mist-Dry 技术，成功制作出高质量的 α-Ga₂O₃ 外延层，用以制造具备 600V 耐压级器件。采用有利于微细化与低导通电阻的 Trench-Gate MOSFET，为了降低 MOSFET 导通电阻中占比较大的沟道区电阻，应用了 p 层，并开发了新型 MOS 结构工艺。此外，通过将厚度约为 10 μm 的超薄 α-Ga₂O₃ MOSFET 转移到金属支撑基板上，实现了具有高导电能力和与碳化硅（SiC）相当的高散热特性的垂直器件结构。

        最终制备出的 α-Ga₂O₃ MOSFET，在栅极电压为 15 V 时实现了漏电流 14.3 A 的通电特性，同时在 0 V 栅压下无漏电流，实现了理想的常关型特性。器件通电区域的特性导通电阻为 17mΩ・cm²。FLOSFIA 表示，未来将通过进一步改良 MOS 结构工艺与微细化沟槽栅结构，追求超越 SiC-MOSFET 的低损耗性能。

        FLOSFIA 表示，将以此次成果为基础，进一步加速耐压结构的引入、高耐压化以及产品化所需的可靠性确保等研发工作。公司目前正以位于京都大学附近的母工厂为中心，推进月产百万规模的量产技术平台建设，计划在 2026 年度后启动全面量产。