【专家风采】张进成——技术专家委员会主任

个人简介

      张进成，男，1976年出生，西安电子科技大学副校长，二级教授，何梁何利基金科学与技术创新奖获得者，国家自然基金杰出青年基金获得者，教育部长江学者特聘教授。中国电子学会空间电子学分会第六、七届委员，中国物理学会半导体物理专业委员会委员，曾任ICNS（国际氮化物半导体会议）、DRIP（国际缺陷识别检测会议）等国际学术会议电子器件分会主席，全国半导体物理学术会议组织委员会副主席。长期从事宽禁带半导体氮化镓、超宽禁带半导体氧化镓与金刚石研究，在低缺陷外延材料与新型异质结构、大功率射频器件与电路、高压电力电子器件等方面取得一系列重要创新成果，成功应用到北斗导航卫星、5G通信基站等国家重大工程中，代表性成果入围“十三五”国家科技成就展。以第一和第二完成人获得国家技术发明二等奖2项，省部级科技一等奖7项。发表高水平学术论文200余篇，出版专著3部，授权发明专利100余项，在国内外学术会议做特邀报告50余次。

专家寄语：

      大力营造良好的产学研用合作生态，卓力推动氧化镓半导体高质量发展。