【外延论文】后沉积退火对 SiO₂/GaN 界面处氧化镓层原子有序结构的影响

        由日本产业技术综合研究所的研究团队在学术期刊 physica status solidi (b) 发布了一篇名为 Effect of Post-Deposition Annealing on Atomic Ordered Structure of Gallium Oxide Layer at SiO₂/GaN Interface（后沉积退火对 SiO₂/GaN 界面处氧化镓层原子有序结构的影响）的文章。

摘要

        本研究利用光电子全息技术在原子尺度上评估了 SiO₂/GaN 界面氧化镓层随沉积后退火温度的结构变化。实验中采用了两种 SiO₂ 沉积方法：原子层沉积和溅射沉积。此外，研究还评估了 GaN 表面自然氧化层的原子排列。光电子全息图和扫描透射电子显微镜图像显示，SiO₂/GaN 界面处的氧化镓层为单原子层厚度，且具有与 GaN 衬底上的原生氧化膜相同的原子排列。从全息图分析发现，在溅射沉积 SiO₂ 的过程中，超薄氧化镓层受到了损伤，但氧化镓层的损伤能够通过在 600°C 下退火得到恢复。

原文链接：

https://doi.org/10.1002/pssb.202500025