【专家风采】裴艳丽——技术专家委员会委员

裴艳丽

中山大学电子与信息工程学院 教授，博导

宽禁带半导体材料与器件工程技术研究中心 主任

      主要研究工作集中在宽禁带氧化物半导体材料与器件方面，包括氧化物半导体材料外延MOCVD装备、外延工艺、氧化物半导体功率器件、氧化物半导体光探测器件、氧化物半导体薄膜晶体管器件、存储器件、神经形态器件等，发表SCI收录论文近100篇，撰写了2本专业书籍的章节，授权发明专利30余项。2020年获得“广东省科技进步奖二等奖”，2021年参与研发的氧化镓技术上榜“科创中国”先导技术榜。

成果展示：

      裴艳丽教授学术专长主要包括半导体材料、装备、工艺和先进器件相关的应用基础研究，其中包括氧化物专用MOCVD装备与智能化技术、氧化物透明导电薄膜及其在光电器件、显示领域的应用技术、高迁移率氧化物半导体薄膜晶体管技术、氧化镓基功率器件等。在氧化镓材料方向，团队基于自研氧化物专用MOCVD装备开展同质和异质外延研究，建立了基于多步和混合源方式的高质量氧化镓外延生长工艺；在氧化镓功率器件方面，研究异质pn结、表面处理等技术改善耐压和器件均匀性与良率。

专家寄语：

      超宽禁带半导体氧化镓包括多种相结构，其中β，α，ε相受到广泛关注，各具特色和优势，在高耐压、大功率、射频、滤波、光电探测等领域具有重大应用前景。团队未来发展将致力于开发氧化镓单晶材料可控外延生长工艺与配套装备，提升氧化镓器件性能并拓展氧化镓应用新领域。