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【会员新闻】富加镓业董事长齐红基：AI赋能，中国氧化镓产业化加速抢跑
日期：2025-08-15阅读：18
宽禁带及超宽禁带半导体材料是国际半导体领域的热点，也是全球高技术竞争战略制高点之一。值此产业风口，第六届全国宽禁带半导体学术会议在大连召开，此次会议由中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会、中国电子学会电子材料学分会共同主办，大连理工大学、东北师范大学和第三代半导体产业技术创新战略联盟联合承办。富加镓业董事长齐红基作为行业专家受邀参会并在新型宽禁带材料与器件分会做邀请报告。基于团队在推动氧化镓产业化进程中取得的一系列突破性进展——单晶材料与AI智造融合创新、MOCVD/MBE同质外延技术攻克以及外延材料器件验证，齐红基深度剖析了在下一代半导体新材料领域，中国如何率先突破产业技术瓶颈，实现全球引领的独特路径。
齐红基在演讲中提出，超宽禁带半导体新材料在新能源汽车、智能电网及轨道交通等应用领域前景极为广阔。氧化镓熔体法制备特点使其在大尺寸低成本制备方面有明显优势，是最有希望快速实现产业落地的超宽禁带半导体材料。中国依托丰富的原材料资源、广阔的器件应用市场，及国家层面项目重点支持，为引领全球发展积蓄力量。尽管如此，为了实现国际引领，仍需加速关键技术攻关及产业落地进程，抢占国际制高点。
大规模制备是产业化的基础，单晶生长在突破6英寸产业化门槛后，技术攻关核心在于结合人工智能的突破性进展，将新材料生长与机器学习、视觉识别等结合，如同给晶体生长配上“自动驾驶”系统，实现设备智能化控制及材料性能快速优化迭代，提升良品率，支撑未来材料大规模量产。
富加镓业研发的“一键长晶”智能化装备已经进行了批量验证，晶体毛坯合格率提升至90%以上，相关基础专利已获美国及日本共12项国际专利授权。目前，富加镓业正在积极推动6英寸氧化镓单晶及外延片产线建设，建设完成后即可实现6英寸单晶衬底万片产能。
将氧化镓产业化比作修建高速公路，单晶是“路基”，高质量外延则是关键“路面层”。富加镓业在外延工艺上取得重大突破，其氧化镓外延薄膜已实现10μm以上厚度（支撑3300V高压器件）且迁移率 >180 cm²/V·s的优异性能指标。尤为关键的是，在6英寸范围内，外延薄膜厚度均匀性已稳定优于±2%的严苛产业导入标准，为器件的高速“通行”提供了坚实保障。
氧化镓单晶及外延性能的技术突破得到了器件验证结果的有力支撑。基于富加镓业研制的导电性衬底同质外延的10μm厚度薄膜，团队已经实现了接近碳化硅器件理论指标的SBD器件，并且完成了4英寸外延片流片，正在系统表征器件性能。
氧化镓大规模产业应用的临界点近在咫尺，但实现中国引领发展仍需要国内研发机构及产业深度融合。富加镓业作为超宽禁带半导体创新发展联盟首批发起单位之一，将持续推动产业链上下游高效协同，早日实现“让世界用上好材料”的愿景。
产品介绍
设备：
公司研制了国际上首台具备“一键长晶”EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。
公司自行研制了全自动VB晶体生长设备，并在国内率先突破了4英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸VB法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。
公司结合氧化镓脆性、容易解理特点，研发了2-6英寸氧化镓单晶衬底研磨抛光设备，并根据客户需要可提供成熟的研磨抛光及清洗工艺包。
单晶及外延片：
公司已经建立企业标准2项，获得ISO9001质量体系认证，向市场提供10mm至6英寸的多种晶向的氧化镓单晶衬底10mm至4英寸的MOCVD氧化镓外延片及10mmMBE氧化镓外延片。
关于我们
杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD外延片、MBE外延片、氧化镓晶体生长及加工装备，产品主要服务于功率器件、微波射频及光电探测等领域。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获人民日报、新华网、中国证券报、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。企业荣誉汇总：2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；2025年获得ISO9001质量体系认证（编号：20225Q20294R0M）；在氧化镓领域，承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）4项。
