【会员新闻】富加镓业齐红基董事长亮相IPF2025大会！分享氧化镓单晶衬底及外延技术研发进展

        2025年8月21-22日，第三届IPF2025功率器件制造测试与应用大会在无锡梁鸿湿地丽笙度假酒店盛大启幕。大会聚焦功率半导体智能化转型与全产业链协同创新，特邀全球顶尖专家共话技术跃迁。

        作为超宽禁带半导体氧化镓领域的领军企业，杭州富加镓业科技有限公司（以下简称“富加镓业”）受邀参会，公司董事长齐红基博士在“下一代高能效功率半导体的技术发展”分论坛发表重磅报告。报告中指出，在氧化镓领域我国具备原材料及巨量市场优势，为了尽快实现氧化镓产业链贯通，需要强化单晶、外延及器件及相关装备技术攻关及产业化落地，报告中分享富加镓业的实践成果与产业愿景。另外，产业链打造需要协会、联盟等社会团体大力支持，2025年5月在上海成立的超宽禁带半导体联盟将发挥重要作用。即将在10月10-12日举办的CSGO海峡两岸氧化镓会议也为氧化镓领域研究成果分享提供非常好交流平台。

        “从‘材料突破’到‘器件落地’，全产业链能力是氧化镓技术从实验室走向市场的核心支撑。”报告中，齐红基博士开篇即点明产业链布局的重要性。自2019年成立以来，富加镓业以“让世界用上好材料”为愿景，持续突破氧化镓关键技术瓶颈，现已构建起“装备-衬底-外延-器件验证”全链条产业化体系，成为国内少数实现氧化镓材料与装备双线自主可控的企业。

        在核心产品端，富加镓业已实现6英寸氧化镓单晶衬底规模化制备，产品达到半导体器件工艺线产业化门槛；4英寸MOCVD同质外延片性能优异，外延薄膜厚度突破10μm、迁移率超180 cm²/V·s，6英寸范围内厚度均匀性稳定优于±2%，为下游功率器件制造提供高适配性基础材料。同时，公司自主研发的氧化镓EFG设备、VB设备，不仅支持2-6英寸晶体生长，更率先实现“一键长晶”智能化操作，解决了氧化镓产业化的装备“卡脖子”问题。

        当前，富加镓业正加速推进6英寸氧化镓单晶及外延片产线建设，未来将达成“年产万片”的产能规模，进一步打通“材料-器件-应用”链路，为光伏、储能、新能源汽车等领域提供高能效半导体解决方案。

        氧化镓产业的发展离不开跨领域、跨主体的协同创新。齐红基博士在报告中强调，富加镓业作为超宽禁带半导体创新发展联盟首批发起单位之一，始终积极推动联盟资源整合与产学研用深度融合。

        该联盟汇聚了国内顶尖科研机构、头部制造企业、金融投资机构等力量，聚焦超宽禁带半导体前沿技术攻关、标准制定、人才培养与产业化落地。富加镓业依托联盟平台，已与多家下游器件企业、高校院所建立合作，共同开展氧化镓基SBD（肖特基势垒二极管）、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）等器件研制，目前基于公司导电性衬底与外延片的SBD器件性能已接近碳化硅器件理论指标，4英寸外延片流片工作也已顺利完成。

        “联盟的价值在于‘破界’——打破技术壁垒、企业边界与资源孤岛。”齐红基表示，未来富加镓业将继续以联盟为纽带，推动上下游企业共享技术成果、共建标准体系，加速氧化镓产业从“单点突破”向“集群发展”迈进。

        为进一步链接全球氧化镓领域创新资源，由上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室主办的第五届CSGO海峡两岸氧化镓会议将于2025年10月10-12日在广东东莞-松山湖实验室举办，旨在为亚洲乃至全球氧化镓领域专家学者、企业代表、投资机构搭建高水平交流平台。

        会议将聚焦氧化镓单晶生长、外延技术、器件设计与制造、应用场景拓展等核心议题，设置主题报告、技术研讨、成果展示等环节，探讨全球氧化镓技术路线与市场机遇。“我们希望通过这次会议，让中国氧化镓技术成果走向世界，也让全球资源助力中国产业发展。”齐红基表示，富加镓业将在会议中分享最新研发成果与产业化经验，期待与各方携手推动氧化镓成为下一代功率半导体的核心材料。

        除报告分享外，富加镓业在大会A区A30展位设置专属展台，集中展示6英寸氧化镓晶圆、4英寸氧化镓外延片及EFG/VB晶体生长设备等核心产品。展会期间，众多参会嘉宾驻足展台咨询交流，对富加镓业的技术实力与产业化进展给予高度认可，不少下游企业表达了合作意向。

        此次IPF2025大会的亮相，不仅是富加镓业氧化镓技术成果的一次集中展示，更彰显了公司推动产业协同、链接全球资源的决心。未来，富加镓业将持续深耕超宽禁带半导体领域，以技术创新为核心、以产业链协同为支撑、以国际化交流为纽带，助力中国氧化镓产业实现从“跟跑”到“领跑”的跨越，为全球高能效功率半导体发展贡献中国力量！

产品介绍

设备：

        公司研制了国际上首台具备“一键长晶”EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。

        公司自行研制了全自动VB晶体生长设备，并在国内率先突破了4英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸VB法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。

        公司结合氧化镓脆性、容易解理特点，研发了2-6英寸氧化镓单晶衬底研磨抛光设备，并根据客户需要可提供成熟的研磨抛光及清洗工艺包。

单晶及外延片：

        公司已经建立企业标准2项，获得ISO9001质量体系认证，向市场提供10mm至6英寸的多种晶向的氧化镓单晶衬底10mm至4英寸的MOCVD氧化镓外延片及10mmMBE氧化镓外延片。

关于我们

        杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019年 12 月 31 日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技〞企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD外延片、MBE外延片、氧化镓晶体生长及加工装备，产品主要服务于功率器件、微波射频及光电探测等领域。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获人民日报、新华网、中国证券报、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。企业荣誉汇总：2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；2025年获得ISO9001质量体系认证（编号：20225Q20294R0M）；在氧化镓领域，承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）4项。