【器件论文】综述：具有背障势垒的 β-Ga₂O₃ 晶体管在射频应用中的应用

        由日本情报通信研究机构（NICT）的研究团队在2025年第22届电气工程/电子、计算机、电信信息技术国际会议（ECTI-CON 2025）发布了一篇名为A Review: β-Ga₂O₃ Transistors With Back-Barrier for RF Applications（综述：具有背障势垒的 β-Ga₂O₃ 晶体管在射频应用中的应用）的文章。

摘要

        本文综述了在 β-Ga₂O₃ 射频（RF）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中引入(Al_xGa_1-x)₂O₃ 背势垒的最新进展。背势垒结构具有诸多优势，包括增强载流子限制和改善栅极可控性，从而减少短沟道效应（SCEs）并有效抑制漏极电流泄漏。综述涵盖了基于背势垒的 β-Ga₂O₃ 射频 MOSFET 的各个方面，具体包括材料特性、器件制造、直流特性以及射频特性。系统分析了背势垒对器件性能的影响，突出了其在缓解短沟道效应和改善射频特性方面的有效性。此外，本文还讨论了进一步提升这些器件性能所面临的挑战和未来前景，特别是通过减少外延延迟和提高本征跨导来实现。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/ECTI-CON64996.2025.11100952