【器件论文】探索 β-(AlₓGa₁₋ₓ)₂O₃/Ga₂O₃ 异质结技术的发展：对新兴电力电子和高频应用的批判性分析

        由印度SRM科学技术学院的研究团队在学术期刊 Micro and Nanostructures 发布了一篇名为 Exploring progress in β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ heterojunction technology: A critical analysis of emerging power electronics and high-frequency applications（探索 β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ 异质结技术的发展：对新兴电力电子和高频应用的批判性分析）的文章。

摘要

        β-(Al_xGa_1-x)₂O₃/β-Ga₂O₃ 异质结系统的持续发展展现出在先进电源管理和射频应用领域的重要潜力。这些化合物得益于氧化镓的超宽禁带和出色的电场耐受性，同时通过战略性界面设计克服了传统限制。材料间的工程化界面通过量子限制效应提升了电子迁移率，为性能提升开辟了新路径。同时，对电子能带结构的刻意调控使研究人员能够以前所未有的精度定制工作参数，为专用电子元件开辟了新可能性。本综述了基本性质、外延生长挑战、器件架构及性能指标，重点介绍了突破性成果，包括击穿场强接近 5.5 MV/cm、击穿电压超过 7 kV 以及射频截止频率达 32 GHz。热管理解决方案如 AlN 封顶层已实现最高 40% 的温度降低，解决了这些材料的关键限制。本综述还分析了动态性能考量，并探讨了未来研究方向，包括新型器件概念、混合材料集成及商业化路径，这些对于实现这些有前景的异质结技术的全部潜力至关重要。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208289