【专家风采】卢星——技术专家委员会委员

卢星

      分别于复旦大学和香港科技大学取得学士和博士学位，现任中山大学电子与信息工程学院副教授。主要从事宽禁带半导体材料与器件研究。先后主持或参与了包括国家自然科学基金、国家重点研发计划、广东省自然科学基金、广东省前沿与关键技术创新专项资金等多项科研项目；发表SCI收录论文40余篇，引用近800次，申请/获授权发明专利十余件，合著出版化合物半导体相关的英文论著一部。

成果展示

      卢星博士近年来围绕氧化镓半导体领域的国际前沿课题开展了一系列原创研究工作。课题组针对氧化镓材料缺乏p型掺杂的局限提出构建NiO/Ga₂O₃异质pn结的创新思路，研制出首个基于NiO/Ga₂O₃异质pn结的高耐压二极管器件，给出了一种未来氧化镓功率电子器件的新发展路线 [IEEE EDL, 41, 3, 2020]。课题组采用MOCVD方法可在蓝宝石、碳化硅和硅等衬底上异质外延ɛ-Ga₂O₃单晶薄膜，率先实现了对ɛ-Ga₂O₃材料压电效应的测量及基于ɛ-Ga₂O₃薄膜的SAW谐振器件制备[Adv. Sci., 2203927, 2022]，研制出首个异质外延ɛ-Ga₂O₃ MOSFET器件 [Appl. Surf. Sci., 603, 154440, 2022]，相关研究成果荣登2021年度“科创中国先导技术榜”。

专家寄语

      氧化镓是继氮化镓、碳化硅之后最具应用前景的新一代功率半导体材料，课题组将针对氧化镓功率电子领域的前沿问题持续开展原创基础研究和产业化技术攻关。