【器件论文】SiH₄ 等离子体诱导的 Ti 与 Fe 掺杂 β-Ga₂O₃ 界面改性用于新一代  X  射线探测器的开发

        由美国纽约州立大学奥尔巴尼分校的研究团队在学术期刊 MRS Communications 发布了一篇名为 SiH₄ plasma-induced interfacial modifications between Ti and Fe-doped β-Ga₂O₃ for development of new-generation x-ray detectors（SiH₄ 等离子体诱导的 Ti 与 Fe 掺杂 β-Ga₂O₃ 界面改性用于新一代  X  射线探测器的开发）的文章。

摘要

        铁掺杂半绝缘 β-Ga₂O₃ 是开发先进 X 射线探测器的一个有前途的平台。优化其性能需要对金属/砷化镓有很好的了解金属与铁掺杂 β-Ga₂O₃ 的界面和电子性能。本研究探讨了 SiH₄ 等离子体对 Fe 掺杂 β-Ga₂O₃ 上 Ti 薄膜化学化学计量、氧空位浓度和能带弯曲的影响用 X 射线光电子能谱。等离子体处理导致表面氧空位增强，伴随着表面费米能级升高，并形成与未等离子体处理的情况不同的界面层结构。讨论了 SiH₄ 等离子体效应与表面缺陷改性的关系。

原文链接：

https://doi.org/10.1557/s43579-025-00795-w