【专家风采】罗小蓉——技术专家委员会委员

个人简介

罗小蓉  

教授，博导，国家级人才计划入选者，入选教育部新世纪优秀人才支持计划、四川省有突出贡献的优秀专家及四川省青年科技奖。

      罗小蓉教授长期从事功率半导体器件与集成技术研究，获国家科技进步二等奖、四川省科技进步一等奖、教育部自然科学二等奖、四川省技术发明二等奖、教育部新世纪优秀人才支持计划、四川省青年科技奖。主持国家自然科学基金、国家科技重大专项和重点研发计划以及省部级项目等40余项；已发表SCI检索期刊文章100余篇，以第一作者或通讯作者在国际权威期刊IEEE TPE、IEEE EDL、IEEE TED等发表论文40余篇，论文H指数为25；8次国际学术会议主题/特邀报告；以第一发明人申请发明专利150余项，授权美国专利6项、中国发明专利70余项；出版专著和教材共4部。

      罗小蓉教授担任本领域国际顶级学术会议ISPSD的TPC委员、IEEE EDS Power Devices and ICs Committee委员（全球15名Technical Committee委员之一）、国际会议IEEE NMCI联合主席和IEEE ICSICT分会主席。她也是国家自然基金委和军委科技委重要科技项目的会评专家。

      罗小蓉教授长期从事教学工作，并获电子科技大学教学成果二等奖、本科教学优秀奖和电子科技大学“我最喜爱老师”之卓越风采奖。她所在的功率半导体器件与集成技术实验室已在功率半导体领域培养出博士研究生70余名，硕士研究生1000余名，是全球最大的功率半导体人才培养基地。

成果展示

      超宽禁带半导体氧化镓（Ga₂O₃）在大功率和低功耗应用方面前景广阔，但目前Ga₂O₃功率器件的耐压远低于理论极限。针对此瓶颈问题，分别研制出具有复合终端结构的肖特基势垒二极管和具有NiO/Ga₂O₃异质结与场板的结势垒肖特基二极管。实验结果表明，研制的功率器件电学性能和热稳定性高，具备高功率、高频应用的潜力。同时，实验研究了多物理场下Ga₂O₃槽栅MOSFET性能退化机制，首次定量的区分了界面态和边界陷阱对Ga₂O₃ MOSFET阈值电压不稳定性的贡献；并通过实验和仿真验证了Ga₂O₃槽栅MOSFET在正/负偏压应力下对器件性能退化具有不统一的机制。以上工作研究对推动Ga₂O₃功率器件在大功率应用具有重要意义，成果已发表在电子器件权威期刊IEEE Tran. Power Electronics、IEEE Tran. Electron Device及功率半导体顶级国际会议ISPSD上。

专家寄语

      氧化镓作为超宽禁带半导体材料在功率器件的应用中具有显著优势，目前各国对氧化镓的研究时间不长，我们理应抓住机遇，奋力追赶，力争在氧化镓研究和产业化领域占据高地，实现弯道超车。