【国际时事】德克萨斯理工大学获NSF资助，开启氧化镓等超宽禁带半导体学生科研计划

        美国国家科学基金会（NSF）近日向德克萨斯理工大学拨款 43.9万美元，支持启动一个全新的本科生科研项目（REU），聚焦宽禁带与超宽禁带（UWBG）半导体技术。

        项目名为：宽/超宽禁带半导体技术及应用（WUBSTA），将于 2025年11月启动，由电气与计算机工程系的 Nguyen教授与Dallas教授共同负责。研究内容涵盖氧化镓（Ga₂O₃）、氮化铝（AlN）等UWBG材料 的合成、器件制造与性能测试。

        学生将在为期10周的暑期科研中，每周投入约40小时，参与 高功率晶体管、存储器件、发光器件等课题的探索。该项目不仅重视科研训练，还强调成果转化，面向高速电子学、电力系统、射频与光电应用。

        同时，WUBSTA注重多样性与包容性，为学生提供科研指导、职业发展和软技能培训，旨在培养新一代能够兼顾学术与产业的半导体人才。

        正如Nguyen教授所言：“这是一个关乎国家竞争力和安全的关键领域。” “该项目不仅旨在推动半导体技术的进步，也希望为学生提供成为科研与产业领军人才所需的工具与能力。”Dallas教授同时表示。