【国际时事】麻省大学氧化镓项目获NSF近80万美元资助，助力高功率电子器件发展

        马萨诸塞大学洛厄尔分校（UMass Lowell）电气工程助理教授 Anhar Bhuiyan 正在领导两项美国国家科学基金会（NSF）资助的科研项目，总额达 79.7 万美元，聚焦下一代氧化镓（Ga₂O₃）功率器件的研发。氧化镓因其超高电压承受能力和优异热稳定性，正成为未来高功率电子器件的重要材料。

        Bhuiyan 团队的研究主要包括两方面：一是开发厚膜氧化镓材料及其器件制造技术，使其在高电压、高功率环境下稳定运行；二是探索氧化镓二极管等关键器件的新型制造方法，为未来大规模生产奠定基础。

        “氧化镓不仅能承受高电压，还能在极端环境下保持稳定，如高温、强辐射环境，适用于太空、防务和核能等领域，这些是传统硅、SiC、GaN 器件无法胜任的。” Bhuiyan 介绍道。“卫星或自主航天器需要极高功率才能运行，因此我们希望利用氧化镓材料制造并保护这些功率模块，” Bhuiyan 说。“它们需要体积小、重量轻，同时能高效运作。氧化镓技术可以提供所有这些优势——高能量、高功率——并且器件非常轻巧小型。”

        针对高功率器件散热能力有限的问题，研究团队创新性地在氧化镓高压二极管中引入金刚石层，从而显著改善热管理性能，并提高器件耐辐射能力。该技术可实现小型化、高效率、高功率的器件，为卫星、航天器以及地面电力系统提供可靠的功率解决方案。

        两项 NSF 项目由马萨诸塞大学洛厄尔分校牵头，Bhuiyan 与纽约州立大学布法罗分校的 Uttam Singisetti 教授共同担任首席研究员，项目期间还将充分利用学校的辐射实验室等设施，对氧化镓器件在极端条件下的性能进行验证。

        此外，研究团队积极推动人才培养和科普工作，通过高校和企业合作，引入本科生、研究生以及 K-12 学生参与前沿微电子研究。Bhuiyan 表示：“我们的目标不仅是科学发现，更是培养面向未来高功率电子技术的专业人才。”

        该团队的研究成果将为氧化镓功率器件在电动汽车、电网以及太空应用中的产业化提供关键技术支撑。