【衬底论文】采用光学浮区法生长的 β-Ga₂O₃ 单晶的动态稳定性、微观结构及光电性能

        由合肥工业大学的研究团队在学术期刊 CrystEngComm 发布了一篇名为 Dynamic stability, Microstructure and Optoelectronic performance of β-Ga₂O₃ single crystal by the Optical Floating Zone Technique （采用光学浮区法生长的 β-Ga₂O₃ 单晶的动态稳定性、微观结构及光电性能）的文章。

摘要

        采用光学浮区法制备了 β-Ga₂O₃ [100] 单晶。当旋转速度从 12 rpm 提高到 15 rpm 时，周期性生长条纹消失。随着生长速度从 10 mm/h 增加到 15 mm/h，熔融区高度从 11.9 mm 增至 12.8 mm。在 V=12 mm/h 条件下获得的 β-Ga₂O₃ 单晶的半高宽(FWHM)为 0.139°。阶梯状凹坑的形成与晶体的解理特性相关，而梯形和菱形凹坑的形成则归因于 β-Ga₂O₃ 单晶中的缺陷。在 (400) 和 (002) 晶面上存在边缘位错，但在 (-601) 晶面上未发现位错。拉曼光谱和紫外吸收光谱表明，在 V=12mm/h 和 R=15 rpm 条件下制备的 β-Ga₂O₃ 单晶质量最高。

原文链接：

https://doi.org/10.1039/D5CE00570A