【国际时事】康奈尔大学材料科学与工程系新任教授推动氧化镓与超宽禁带半导体研究

        康奈尔大学材料科学与工程系近日宣布两项新任命：其中 Hari Nair 博士正式担任助理教授，他将在超宽禁带半导体研究领域继续拓展新的方向，重点关注氧化镓（Ga₂O₃）和氮化铝（AlN）等关键材料。

        自 2020 年起，Nair 博士在康奈尔开展半导体研究，期间建立了新的金属有机化学气相沉积（MOCVD）实验能力，并将其用于超宽禁带半导体（如 Ga₂O₃ 和 AlN）的外延生长。这些材料是下一代功率电子器件和射频应用发展的关键。Nair 实验室近期新安装的氮化物 MOCVD 设备，使其能够探索过渡金属氮化物外延薄膜与异质结构的生长，用于量子应用，如外延约瑟夫森结。

        Nair 表示：“我课题组的 MOCVD 能力与康奈尔大学现有的薄膜合成条件高度协同。作为助理教授，我将继续推进既有研究方向，并探索新的方向，尤其是过渡金属氮化物的 MOCVD 生长，用于量子信息科学应用。同时，我也非常期待开始为本科生和研究生授课。”

        此次任命还包括 James Weaver 教授，他的研究专注于仿生材料与先进制造技术。Weaver 在多学科交叉领域开展工作，带领仿生材料与设计研究组，并运行宽场电子光学实验室。两位学者的加入进一步增强了康奈尔在材料科学、先进制造及超宽禁带半导体研究等领域的学术实力。

        随着氧化镓在下一代功率电子器件中的重要性日益凸显，Nair 博士的研究将为该领域注入新的科研动力，为更高效、更可靠的半导体器件发展奠定基础。