【会员新闻】镓仁半导体携国际最大8英寸氧化镓单晶产品，荣获第十届“创客中国”浙江总决赛企业组二等奖

        从技术探索到产业落地，镓仁半导体以 “每年升级一代尺寸” 的速度书写着行业传奇。2022年，公司成功生长2英寸氧化镓单晶，迈出技术攻坚第一步；2023年，4英寸单晶顺利问世，实现尺寸翻倍突破；2024年，6英寸单晶衬底研发成功并快速建成量产线，目前均已稳定供货下游客户。

        2025年3月，全球首颗8英寸氧化镓单晶的正式发布，更是将公司技术实力推向全新高度。镓仁半导体仅用三年时间完成从2英寸到8英寸的跨越式升级，创造了氧化镓领域的 “中国速度”。

        在技术创新层面，镓仁半导体开创了自主研发的铸造法氧化镓单晶生长新技术，这一由杨德仁院士团队研发的新型熔体法技术，具有成本低、效率高、可控性强的显著优势，且拥有完全自主知识产权。

        依托该技术，公司不仅实现了多尺寸氧化镓衬底的稳定生产，更成功开发出首台氧化镓专用VB法长晶设备。该设备通过工艺控制可获得多种不同晶面的大尺寸单晶，可满足高温高氧环境下的全自动化晶体生长需求，大幅提升生产效率与晶体质量；且支持向更大尺寸单晶的升级，满足高校、科研院所、企业客户对氧化镓晶体生长的科研、生产等各项需求。该型氧化镓VB法长晶设备及其工艺包已全面开放销售。

        截至目前，公司已有十余项专利获得授权，包括2项国际专利，彻底打破了美国、德国、日本等西方国家在氧化镓衬底材料领域的长期垄断与技术封锁。

        2025年3月，镓仁半导体正式发布全球首颗8英寸氧化镓单晶，并加工出相应尺寸衬底，一举刷新氧化镓单晶尺寸的全球纪录。7月，该产品通过深圳平湖实验室、马尔文帕纳科亚太卓越应用中心等国内外权威机构检测，其XRD摇摆曲线半高宽最低仅12.4arcsec，整体小于30arcsec，达到国际领先水平。

        本次质量检测结果充分证明，镓仁半导体8英寸晶圆衬底质量优异，能够满足硅基8英寸产线生产要求，这将大幅降低下游应用端研发的难度与成本，促进产业化应用的快速落地。

        镓仁半导体氧化镓衬底已逐步实现产业化，为下游客户提供大尺寸高质量的氧化镓单晶衬底产品。目前，镓仁半导体8英寸衬底已实现产品销售出货。