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【会员新闻】NCT宣布参加电子器件/半导体电力转换联合研讨会
日期：2025-09-25阅读：77
Novel Crystal Technology（简称NCT）将于2025年10月23日（周四）至10月24日（周五）在日本石川县金泽市举办的电子器件/半导体电力转换联合研讨会上进行成果发表。
本次会议将在金泽商工会议所（石川县金泽市尾山町9-13）举行。
演讲信息
● 时间：2025年10月23日（周四）16:20 ~ 17:20（报告时长20分钟，含5分钟答疑）
● 报告题目：电场强度5 mV/cm，耐压1844 V的 β-Ga₂O₃ 沟道MOS肖特基势垒二极管
本次研究成果展示了NCT在β-Ga₂O₃功率器件领域的重要进展，体现了公司在高压高性能半导体技术上的持续创新与突破。
展会信息
电子器件/半导体电力转换联合研讨会官网链接：https://workshop.iee.or.jp/sbtk/cgi-bin/i?s=SBW00009E63&lang=e
