【会议论文】在氧化物分子束外延中实现可控的Si掺杂：以β-Ga₂O₃掺杂SiO为例

        论文简介：来自保罗-德鲁德固态电子研究所,柏林研究协会的莱布尼茨研究所、亚琛工业大学物理化学研究所和帕尔马大学数学、物理和计算机科学系的A. Ardenghi、O. Bierwagen、A. Falkenstein、G. Hoffmann、J. Lähnemann、 M.Martin和 P. Mazzolini联合发表了一篇题目为《Towards controllable Si doping in oxide molecular beam epitaxy: the example of β-Ga₂O₃  doped by a solid SiO source》的论文文章。该文章向我们介绍了氧化镓的掺杂问题。