【器件论文】通过各向异性沟槽结构实现对 β-Ga₂O₃的面选择性欧姆接触

        由首尔大学的研究团队在学术期刊 ACS Applied Electronic Materials 发布了一篇名为 Achieving Face-Selective Ohmic Contact to β-Ga₂O₃ via Anisotropic Trench Structure（通过各向异性沟槽结构实现对 β-Ga₂O₃ 的面选择性欧姆接触）的文章。

摘要

        实现低接触电阻对于制造高性能电子和光电子器件至关重要。由于具有低对称单斜晶结构的β-氧化镓（β-Ga₂O₃）展现出各向异性电子特性，通过在六个不同晶面 (001)、(100)、(101)、(102)、 (201) 和 (−201) 上制备沟槽接触结构。沟槽接触结构实现了在不同晶面上的接触，突破了接触仅限于生长表面的限制。转移长度法分析表明，(−201) 晶面上的沟槽接触具有最低接触电阻 (0.23 kΩ·mm)。较低的原子密度和表面能分别通过降低声子密度和形成更薄的 Ti–TiO_x 界面层，增强了界面处的载流子注入。采用（−201）沟槽接触的不对称自供电紫外-C 光探测器展现出卓越的光电性能：响应度提升 3 倍（13.17 mA·W^–1），光暗电流比显著增强（(1.38 × 10⁴%），远超表面接触器件（4.38 mA·W^–1, 7.57 × 10³%）。本研究凸显了各向异性特性在接触工程中的重要性，并为优化 β-Ga₂O₃ 器件应用于新一代电力与光探测技术提供了新路径。

原文链接：

https://doi.org/10.1021/acsaelm.5c01474