会议新闻
【会议信息】2025届海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会全流程总览
日期：2025-09-30阅读：85
会议简介
一代材料，一代器件！当传统硅半导体逼近其性能极限，GaAs、SiC、GaN等宽带隙半导体逐渐获得广泛应用，更新一代宽带隙半导体材料正重塑半导体技术版图。氧化镓是新一代宽带隙半导体材料的突出代表，其能隙（～5 eV）宽、理论击穿场强（～8 MV/cm）高和Baliga优值（～3444）大，预示着在高压电力电子、射频通信、深紫外光电探测等应用领域的广阔前景。近两年，我国氧化镓材料及其器件研究突飞猛进，单晶生长方法和尺寸不断突破，外延薄膜质量与器件性能不断提升，p型掺质及热管理技术也取得跨越式发展，有力推动了氧化镓功率器件、日盲紫外探测器件等的产业化进程。
“海峡两岸氧化镓及其相关材料与器件研讨会”作为氧化镓材料研究领域标杆性的专题学术会议，自2017年创办以来已成功举办四届，参会人数逐届攀升。本次第五届会议由上海市宽禁带与超宽禁带半导体材料重点实验室主办，南方科技大学、松山湖材料实验室、《人工晶体学报》、中国科学院上海光学精密机械研究所、亚洲氧化镓联盟联合承办。会议旨在搭建海峡两岸氧化镓材料与器件研究领域科研技术人员相互交流与合作平台，展示相关领域最新研究成果，探讨其中的关键科学和技术问题，进一步促进两岸科技合作与进步，推动相关领域基础研究和应用技术的持续创新发展。会议定于2025年10月10—12日在广东·东莞·松山湖材料实验室召开，诚邀两岸高等院校、科研机构和相关企事业单位学者、同仁参会交流，合作共赢。
会议开幕前，联盟将带您提前纵览会议议程、重磅报告及参展会员，抢先把握行业热点与科研前沿，为参会者高效规划行程与深度交流提供权威指引。
会议报告议程
大会报告嘉宾
Daniela Gogova，瑞典Linköping大学物理系半导体研究室研究人员，曾任职于保加利亚科学院太阳能和新能源中央实验室（CLSENES-BAS）、柏林工业大学材料科学与技术研究所、德国柏林莱布尼茨晶体生长研究所等。长期从事宽禁带半导体材料、物理和器件研究，先后参与CLSENES-BAS关于太阳能材料和系统的欧盟项目，欧盟委员会第六届框架计划的保加利亚“卓越中心”，用于光电子的HVPE GaN欧盟DENIS项目，且曾获德国BMBF、SAW、DFG项目支持。
报告题目：Ultra-Wide Bandgap Gallium Oxide for Next Generation High-Power Electronics: Growth, Doping and Radiation Stability
陈秀芳，新一代半导体材料研究院教授、博士生导师。教育部“长江学者”特岗教授。长期从事宽带隙碳化硅等半导体材料、相关芯片的研究。先后主持20余项国家及省部级项目。牵头/参与成果转让3次，转让费合计4500万元。现任晶体材料全国重点实验室副主任、新一代半导体材料研究院常务副主任。带领团队获得全国高校“双带头人”教师党支部书记工作室、“山东省青年创新团队”等荣誉称号。所指导的研究生获山东省大学生创新大赛金奖、山东省大学生课外学术科技作品竞赛一等奖等。
报告题目：碳化硅材料技术及应用
冯哲川，教授，美籍华人，国际知名宽禁带半导体专家。1944年12月出生，本科及硕士毕业于北京大学，后获美国匹兹堡大学博士学位。曾任职于美国埃默里大学、新加坡国立大学、美国佐治亚理工学院及台湾大学。2015年全职加盟广西大学，任杰出教授，并组建光电子材料与探测技术实验室。长期致力于氮化镓、氧化锌、碳化硅等宽禁带半导体材料的光学特性、材料生长与器件应用研究，在LED、激光器和深紫外探测器等领域成果卓著，出版英文专著11部，发表学术论文700余篇，引用近5000次，并当选为美国光学工程学会（SPIE）会士。
报告题目：Zn流量和温度对MOCVD生长ZnGa2O4薄膜材料与光电子特性的影响
黄文海，香港科技大学电子及计算机工程副教授，于2004年在美国康奈尔大学取得电子工程及材料科学双学士学位，于2009年获得美国加州大学圣塔芭芭拉分校电子工程博士学位。首批研究氮极性GaN射频器件的研究人员之一。2011年至2013年在美国SEMATECH公司开发了针对大面积III-V/Si单片集成的分子束外延技术。2013年至2019年在日本国家情报通信研究机构（NICT）开发Ga2O3功率器件。2019年至2022年在美国马萨诸塞州大学洛厄尔分校担任助理教授。2022年加入香港科技大学。著有多篇关于GaN和Ga2O3器件技术的特邀综述，在学术会议或论坛上作邀请报告30余次。研究工作获得了多项奖项的认可，包括2012年SEMATECH公司卓越奖和2019年NICT个人成就奖，现担任Journal of Materials Research （Springer）和IEEE Transactions on Electron Devices的编辑。
报告题目：氧化镓功率器件技术的需求
江川 孝志，教授，名古屋工业大学纳米器件与系统研究中心主任、电子工程领域知名学者。1980年、1982年分获名古屋工业大学电子学学士与硕士学位，1991年获电气与计算机工程博士学位。曾任冲电气工业株式会社研究员，长期从事化合物半导体器件研究，在氮化镓与砷化镓MOCVD异质外延技术及光电器件应用领域取得突出成就。已发表国际期刊论文220余篇，曾获日本电气工程师学会小平纪念奖、文部科学大臣奖、井上春成奖等重要奖项。现任《IEEE电子器件快报》化合物半导体器件领域编辑，是日本应用物理学会、IEEE电子器件学会等学术组织的重要成员。
报告题目：Heteroepitaxial Growth of GaN-on-Si and Power Device Applications
龙世兵，中国科学技术大学教授。从事微纳加工、阻变存储器、超宽禁带半导体器件（功率器件及探测器件）、存储器电路设计等领域的研究。国家杰出青年科学基金获得者，IEEE高级会员。在IEEE EDL、Adv. Mater.、Nat. Commun.等国际学术期刊上发表论文100余篇，SCI他引5500余次，H因子43，6篇论文入选ESI高引论文。申请专利100余项，其中9项转移给国内最大的集成电路制造企业中芯国际，74项授权/受理发明专利许可给武汉新芯。主持国家自然科学基金、科技部（863、973、重大专项、重点研发计划）、中国科学院、广东省等资助科研项目20多项。参与获得国家技术发明奖二等奖、国家自然科学二等奖、中国科学院杰出科技成就奖。
报告题目：新型氧化镓基深紫外光电感知器件
叶建东，2002年和2006年于南京大学取得学士和博士学位。2006年至2015年分别于新加坡微电子研究所任职Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学任职QE II Fellow。2010年于南京大学电子科学与工程学院任职教授、博士生导师。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。作为通信作者近5年发表80余篇高水平论文，主/参编专著4本，授权发明专利14件。主持国家重点研发计划、基金委杰青/重点/优青、江苏省杰青、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等。以第一完成人获江苏省科学技术二等奖和澳大利亚QE II研究奖等。
报告题目：氧化镓异质结构物相调控与缺陷工程
张冠张，北京大学深圳研究生院信息工程学院长聘副教授,主要从事生物神经形态电子、宽禁带半导体、新型存储器、超临界流体等研究。作为项目主持人承担国家自然科学基金、广东省自然科学基金、深圳市科创委基础研究等多项研究计划。发表SCI论文180余篇，被引用总计5000余次，1篇ESI高被引论文，H指数40。在发明专利方面，共拥有18个中国大陆专利，23个中国台湾的专利，13个美国专利。
报告题目：超临界流体技术在电子器件中的应用与探索
周 弘，西安电子科技大学领军教授、入选多项国家高层次人才计划。主要研究领域为宽禁带和超宽禁带半导体射频功率和高压器件。获国防和陕西省技术发明奖一等奖2项，研究成果应用于我国重大装备，入选全球前2%顶尖科学家和中国高被引学者榜单。发表了包括Nat. Nano、Nat. Comm.、Science Advance、IEEE TIE/TPE/EDL/TED等领域顶级期刊及IEDM/VLSI半导体领域顶级会议论文150余篇，学术引用8000次，ESI高被引论文10篇，研制的半导体器件保持多项国际最高记录。学术成果被Compound Semiconductor、Semiconductor Today、Electronic Component News、Physics Or、Nano werk等领域知名杂志报道十余次。
报告题目：G赫兹万伏百安氧化镓功率器件研究进展与思考
佐佐木 公平，2006年3月毕业于长冈技术科学大学硕士课程后，加入株式会社田村制作所，在核心技术本部从事氧化镓晶体生长及功率器件开发。至今已开发了氧化镓的MBE生长技术、n型离子注入技术、高电阻衬底、沟槽型MOS-SBD、沟槽JBS二极管等，相关专利申请超过 80 项。2018年转入株式会社Novel Crystal Technology，并于2019年起担任该公司董事兼首席技术官（CTO）至今。2016年通过论文提交获得京都大学博士学位。
报告题目：Advances in Ga2O3 Crystal Growth and Device Applications
圆桌论坛嘉宾
王 钢，中山大学教授，博士生导师，光电材料与技术国家重点实验室PI，毕业于日本名古屋工业大学。主要从事化合物半导体材料及相关元器件制备技术方面的研究和教学工作。是教育部2007年度新世纪优秀人才支持计划入选者，科技部正式聘请的“十一五”和“十二五”国家科技重点专项（半导体照明专项）总体专家组专家。2015年和2019年分别获得“产学研创新成果奖”，2021年和2023年分别获得“广东省科技进步奖二等奖”，2021年负责研发的氧化镓技术上榜“科创中国”先导技术榜。累计申请专利240项，发表论文165篇，承担各类科研项目68项。
陶绪堂，山东大学讲席教授、博士生导师，教育部长江学者特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者。《人工晶体学报》副主编。致力于晶体材料研究，提倡从体块晶体到微纳米晶体，从材料、器件到产业化应用的多维度、全链条研究理念。发表SCI论文400余篇，研究成果曾被美国Chem & Eng News、英国Chemistry & Industry、美国化学会、“NatureAsia”等报道。曾获教育部科学技术进步一等奖，2015、2016年教育部自然科学二等奖，山东省科学技术进步一等奖等奖项。
曹炳阳，清华大学航天航空学院教授、院长。获国家自然科学杰出青年基金及延续资助，国际先进材料学会、亚洲热科学联合会和美国工程科学学会Fellow。担任亚洲热科学与工程联合会副主席、国际传热大会常务理事会理事、中国工程热物理学会常务理事、中国航空教育学会常务理事、中国工程热物理学会传热传质分会副主任、中国复合材料学会导热复合材料专业委员会副主任、中国工程热物理学会飞行/航行器热管理专业委员会副主任、空军装备修理质量分析技术专家委员会副主任等学术职务。主要研究领域为微纳尺度传热、热功能材料及电子系统热管理。主持国家自然科学基金、国家重点研发计划、国家重大科技专项等50多项课题，出版专著《纳米结构的非傅里叶导热》，迄今发表SCI学术论文200余篇，担任ES Energy & Environment主编、International Journal of Thermal Sciences、Carbon Neutrality副主编和10多个国际期刊编委。
冯志红，中国电子科技集团有限公司首席科学家，中国电子科技集团有限公司第十三研究所研究员，中国电子科学研究院博士生导师，博士毕业于香港科技大学电机与电子工程学专业，固态微波器件与电路全国重点实验室常务副主任，山东大学兼职特聘教授。国家级领军人才，享受国务院政府特殊津贴。研究方向涉及宽禁带半导体、碳电子和太赫兹电子技术。主持制定国际首个氮化镓国际标准，发表SCI论文200余篇，授权发明专利100余项，主编出版中英文专著3册。获国家科技进步一等奖1项、省部级科技奖一等奖5项。入选全球前2%顶尖科学家榜单，获全国创新争先奖、国家杰出工程师奖等荣誉称号。
刘朝辉，国家新能源汽车技术创新中心总师、先进电驱动业务单元负责人、谢菲尔德大学国创中心电驱动技术研究中心执行主任。担任中国电工技术学会理事、电动车辆专委会委员。入选国家级海外高层次人才计划、中国科协“海智计划”特聘专家，北京市杰出青年科学基金获得者，北京市卓越工程师，北京市劳动模范。主要研究领域为功率芯片封装和新能源汽车电驱系统集成技术研究和应用。主持和参与欧盟研发项目、国家重点研发计划、工信部发展专项、国家自然科学基金、北京市杰出青年科学基金等项目共12项，发表高水平论文60余篇，授权发明专利12项，参编专著2部，牵头编写团标3项，参与国际标准1项。
论坛主持
叶建东，2002年和2006年于南京大学取得学士和博士学位。2006年至2015年分别于新加坡微电子研究所任职Senior Research Engineer和澳大利亚国立大学任职QE II Fellow。2010年于南京大学电子科学与工程学院任职教授、博士生导师。长期从事氧化镓超宽禁带半导体材料与器件研究。作为通信作者近5年发表80余篇高水平论文，主/参编专著4本，授权发明专利14件。主持国家重点研发计划、基金委杰青/重点/优青、江苏省杰青、江苏省重大科技专项、江苏省重点研发计划等。以第一完成人获江苏省科学技术二等奖和澳大利亚QE II研究奖等。
会员展商一览
展位号：1
山东力冠微电子装备有限公司（简称：山东力冠），成立于2013年。经过十二年的发展，山东力冠已成为国内外一家集研发、生产、销售为一体的先进半导体装备制造与工艺技术服务商。
公司产品涵盖第一代至第四代半导体材料工艺设备，均拥有自主知识产权，完全自主可控，产品广泛应用于集成电路、功率半导体、化合物半导体、5G芯片、光通信、MEMS等新型电子器件制造领域。
公司可为客户提供“设备制造+工艺技术服务”一体化解决方案。
主营产品
一、半导体工艺设备：
1、氧化/扩散/退火设备：立式炉、卧式炉、SiC高温氧化炉、SiC高温退火炉、
2、CVD设备：LPCVD立式炉、LPCVD卧式炉
二、化合物晶体设备：
1、SiC单晶生长设备：PVT法长晶炉（感应炉、电阻炉）、液相法长晶炉、籽晶粘接设备（软压设备、硬压设备）、
2、GaN单晶生长设备：HVPE长晶炉（卧式、立式）
3、Ga2O3单晶生长及外延设备：导模法长晶炉、垂直布里奇曼法（VB）炉（非铱技术）、HVPE外延炉（卧式、立式）
4、金刚石单晶生长设备：MPCVD长晶炉
5、GaAs / InP单晶生长设备：坩埚下降炉
展位号：2
公司成立于2019年12月31日，是杭州光学精密机械研究所注册成立的第一家“硬科技”企业，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备、衬底研磨抛光装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。
富加镓业获得了国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）4项。
主营产品
展位号：3
苏州镓和半导体有限公司是一家专注于氧化镓材料研发的高科技企业,始终将引领氧化镓技术创新与应用奉为使命。是国内为数不多的,具备氧化镓晶体生长、薄膜外延、相关器件及专用生产设备研发的全方位技术与能力的公司。
公司创始人唐为华教授,在氧化镓材料领域深耕十余年,率先在国内布局并实现氧化镓产业化,并于2021年成立苏州镓和半导体有限公司。自成立以来,公司在氧化镓晶体生长方面取得了一系列创新性成果,成功实现了晶体大尺寸、高质量、多种晶面类型的突破,为行业发展注入了强劲动力。
未来,公司将以技术创新为核心驱动力,持续探索氧化镓材料的更高潜能,推动科技与产业深度融合,致力于成为建设高效、绿色、智能化未来的关键力量。
主营产品
展位号：4
蓝河科技致力于化合物半导体MOCVD和CVD设备创新与国产化， 拥有全球化合物半导体领域顶尖技术团队和自主知识产权。集团旗下公司获得“高新技术企业”、“上海市专精特新中小企业”、“江苏省专精特新中小企业”、徐州市技术中心、上海高新技术成果转化、浦东新区研发机构、 浙江省创新创业团队、 “吉林省发明一等奖”等多项荣誉。并通过SEMI-S2、SEMI-S6、质量管理体系、知识产权管理体系等认证。
蓝河科技拥有全球化合物半导体领域顶尖技术团队和自主知识产权， MOCVD和CVD系列设备产品已在第二代半导体InP和GaAs、第三代半导体SiC和GaN、第四代半导体Ga2O3和低维MoS2及WSe2等材料外延生长中获得广泛应用，销售业绩稳居MOCVD设备领域国内企业前列。
主营产品
展位号：5
山东晶升电子科技有限公司是一家专注于半导体装备研发和生产的国家级高新技术企业。公司主要产品为第三代、第四代半导体高端装备以及各种晶体生长装备，广泛应用于集成电路功率器件、半导体材料、太阳能电池、LED芯片制造、新能源等多个领域。
晶升电子注重技术创新，拥有多项自主知识产权，致力于为客户提供高质量的产品和解决方案。公司秉承“诚信、创新、合作、共赢”的经营理念，持续提升核心竞争力，推动行业技术进步。
主营产品
展位号：6
福建晶旭半导体是全球领先的光电集成芯片（OEIC）和宽禁带化合物半导体外 延薄膜材料制造企业，氧化镓超宽禁带材料制备技术上处于国际领先地位，自主研发了MOCVD氧化镓薄膜低温生长工艺，成功在大尺寸硅衬底上制备出高质量的ε相氧化 镓异质外延压电薄膜材料，成为国际上首个获得优质大尺寸硅衬底氧化镓异质外延压 电薄膜材料的企业，从晶圆材料源头实现射频滤波器件的国产化，掌握第三代通信射频核心技术与产品的自主知识产权，产品广泛应用于5G/6G通信、智能物联、航空航 天、新能源汽车、高端装备制造、轨道交通、雷达系统等多个关键领域。
主营产品
展位号：9
日本 Novel Crystal Technology, Inc. 是世界上第一家氧化镓基板、外延及器件的研发及生产型企业。从氧化镓晶体生长、衬底制作、外延生长一直到器件的研究生产,全部走在世界氧化镓行业最前沿，全力带领行业迈向产业化发展之路。
万德思诺集团作为日本 Novel Crystal Technology, Inc.在中国地区的指定代理商，全权负责日本 NCT 在中国地区的品牌营销、市场推广及售后服务。秉承”引领尖端技术、服务行业客户”的理念，以全球领先的尖端技术为引擎,深度定制“材料 ·设备 ·工艺”三位一体解决方案，为客户创造不可替代的产业价值。
主营产品
展位号：10
镓仁半导体是一家专注于氧化镓等宽禁带半导体材料研发、生产和销售的科技型企业，公司依托浙江大学硅及先进半导体材料全国重点实验室和浙江大学杭州国际科创中心，已建成以中国科学院院士为首席顾问，具备丰富行业经验的研发、生产、运营团队。公司开创了氧化镓单晶生长新技术，获得 14 项国际、国内发明专利，打破了西方国家在氧化镓衬底材料上的垄断和封锁。镓仁半导体立足于解决国家重大需求，将深耕于氧化镓上游产业链的持续创新，努力为我国的电力电子等产业的发展提供产品保障。
镓仁半导体引领行业创新，采用自主研发的铸造法等单晶生长技术，实现6英寸氧化镓单晶衬底和晶圆级（010）单晶衬底的生产技术突破，于2025年3月5日，发布全球首颗8英寸氧化镓单晶，并开发了首台包含工艺包的氧化镓专用VB长晶设备。公司已掌握氧化镓生长、加工、外延等全链条的核心技术，为客户提供拥有完全自主知识产权的大尺寸高质量氧化镓产品及设备。
主营产品
展位号：12
苏州镓耀半导体科技有限公司是一家专业从事CVD及ALD装备制造的高科技企业，公司位于江苏省苏州市张家港市保税区科创园，占地1000多平方米。公司2022年成立至今已形成产品开发部，工艺开发部、产品设计部、装备制造部、品质部等核心部门，拥有20余人的专业团队，其中技术人员15人（80%以上为本科及本科以上学历）。
目前公司主要产品有氧化镓MOCVD，氧化镓MistCVD，氮化镓MOCVD，Batch ALD设备，单片ALD设备，二维材料CVD等一系列薄膜沉积设备，产品主要用于β相-及e-相氧化镓外延生长，α氧化镓外延生长，各类氧化物、氮化物薄膜沉积、MoS2等二维材料及氮化硼（BN）薄膜生长，为广大科研院校和企业用户提供全方位的薄膜生长解决方案。
主营产品
联盟活动预热
亚洲氧化镓联盟（AGOA）作为本届会议的承办单位，将致力于为与会嘉宾及各参展会员单位提供全面、专业的服务与支持，并依托自身作为氧化镓领域专业平台的优势，为氧化镓专项会议提供高效、专业的交流与合作支撑，共同推动产业生态协同发展。
会议期间，联盟精心策划了“关注有好礼”互动活动：只需关注官方公众号+视频号，并将指定文章转发至朋友圈，即可参与抽奖。100%中奖，奖品丰富，趣味与实用兼备。诚邀您莅临 联盟11号展位 ，共襄氧化镓创新盛宴！
