【外延论文】安全且经济高效的 mist CVD 作为同质外延生长技术用于制造 β-Ga₂O₃ RF MESFET

        由日本京都大学的研究团队在学术期刊 Japanese Journal of Applied Physics 发布了一篇名为 Safe and cost-effective mist CVD as a homoepitaxial growth technology to fabricate β-Ga₂O₃ RF MESFETs（安全且经济高效的mist CVD 作为同质外延生长技术用于制造 β-Ga₂O₃ RF MESFET）的文章。

摘要

        本文尝试采用 mist CVD 法制造 β-Ga₂O₃ 射频金属氧化物半导体场效应晶体管。对于栅极长度 L_G=0.45 μm、栅极宽度 W_G=150 μm 的器件，其电流增益截止频率 (f_T) 和最大振荡频率 (f_max) 分别为 8.3 GHz 和 18.4 GHz，电子速度经计算为 2.3×10⁶ cm/s。这些数值与其他已报道的器件相当，表明 mist CVD 技术作为射频器件的一种安全且经济高效的生长技术具有潜力。

原文链接：

https://doi.org/10.35848/1347-4065/ae0907