【器件论文】通过设计共连电极研究衬底缺陷对 Ga₂O₃/GaN 基紫外光探测器的影响

        由广东工业大学的研究团队在学术期刊 Optics Letters 发布了一篇名为 Investigating the impact of substrate defects on Ga₂O₃/GaN-based ultraviolet photodetector by designing a common-connected electrode（通过设计共连电极研究衬底缺陷对 Ga₂O₃/GaN 基紫外光探测器的影响）的文章。

摘要

        Ga₂O₃/GaN 混合紫外光探测器（PD）的光子载流子在 Ga₂O₃ 区域产生，并在 GaN 层中传输。本研究通过在 Ga₂O₃ 表面设计栅极金属层并与 GaN 层阴极共连，揭示了 GaN 区域衬底缺陷对光生载流子传输的显著影响。实验结果表明，当施加不同极性的阳极偏压时，可观测到电流不对称现象。根据测量数据，在阴极偏压为 −6 V/+6 V 时，光电流分别为 8.81 × 10⁻⁵ A/cm²/2.34 × 10⁻⁵ A/cm²，响应度达 6.65 A/W/1.16 A/W， 上升时间为 1.07 s/1.14 s，下降时间为 1.16 s/1.35 s。当阳极施加正偏压时，性能下降主要归因于衬底缺陷——Ga₂O₃/GaN 紫外光电二极管将光生载流子推入缺陷更严重的 GaN 衬底区域。这一现象通过建立的物理模型得到了进一步验证。

原文链接：

https://doi.org/10.1364/OL.574719