【会议论文】高击穿（001）β-Ga₂O₃肖特基势垒二极管，通过氧退火形成的高阻阳极终端

        论文简介：来自北京航空航天大学电子信息工程学院和中国科学技术大学的Qiming He，Xuanzhe Zhou， Weibing Hao，Chen Chen，Wei Guo，Qiuyan Li，Qi Liu，Guangwei Xu， Xiaolong Zhao和Shibing Long联合发表了一篇名为《High breakdown (001) β-Ga₂O₃ Schottky barrier diode with high resistance anode termination formed by oxygen annealing》的论文文章。该文章介绍了关于氧化镓的性能问题。