【器件论文】采用 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管的极端环境热稳定 X 射线探测器

        由韩国航空大学的研究团队在学术期刊 Applied Materials Today 发布了一篇名为 Thermally stable X-ray detector using β-Ga₂O₃ schottky barrier diodes in extreme environments（采用 β-Ga₂O₃ 肖特基势垒二极管的极端环境热稳定 X 射线探测器）的文章。

摘要

        本文报道了采用肖特基势垒二极管（SBD）结构的 β-Ga₂O₃ 基 X 射线探测器的制备及其高温性能。制备器件由生长于锡掺杂 β-Ga₂O₃ 衬底上的硅掺杂 β-Ga₂O₃ 外延层构成，在 303 K 至 573 K 温度范围内进行了暗态与 X 射线照射态双条件表征。探测器展现出优异的热稳定性，即使在 573 K 高温下仍保持超过 100 的光暗电流比值。瞬态响应分析表明其光电流动态响应一致且迅捷，即使在高达 573 K 的高温下仍能保持亚秒级响应时间。这些发现凸显了 β-Ga₂O₃ SBD 作为可靠高温 X 射线探测器的潜力，可在航空航天、核能及工业监测等极端环境中应用——且无需主动冷却系统。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.apmt.2025.102936