【器件论文】用于神经形态信息存储的多晶 β-Ga₂O₃：载流子捕获中心引发持久光导效应

        由南京邮电大学的研究团队在学术期刊 IEEE Transactions on Electron Devices 发布了一篇名为 Polycrystalline β-Ga₂O₃ Used in Neuromorphic Information Storage: Trapping Centers for Carriers Leads to Persistent Photoconductive Effect（用于神经形态信息存储的多晶 β-Ga₂O₃：载流子捕获中心引发持久光导效应）的文章。

摘要

        类脑视觉传感器（Neuromorphic Visual Sensors, NVSs）通过具备类突触行为的器件特性，解决了传统器件在高功耗和处理速度缓慢方面的瓶颈问题。其中，载流子俘获层在 NVS 的突触行为中起着关键作用。本工作提出将多晶 β-Ga₂O₃ 同时用作光敏材料和载流子俘获材料，从而简化 NVS 的多层结构。利用晶界效应增强了多晶 β-Ga₂O₃ 光传感器的持久光电导（Persistent Photoconductivity, PPC）效应。通过系统的表征与电学测试，深入研究了其俘获效应。此外，研究结果表明，该 β-Ga₂O₃ 器件能够模拟生物类脑行为，展现出多种基本突触功能。最终，器件被证明能够存储光学图像超过 520 秒，ASCII 信息超过 300 秒，为 β-Ga₂O₃ 在类脑存储器件中的应用发展开辟了新路径。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/TED.2025.3613476