【外延论文】低温高压壁金属有机化学气相沉积法生长硅掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜的高温退火对电学性能的影响

        由日本大阪公立大学的研究团队在学术期刊 Applied Physics Letters 发布了一篇名为 Effects of high-temperature annealing on electrical properties of Si-doped β-Ga₂O₃ thin films grown by low-pressure hot-wall MOCVD（低温高压壁金属有机化学气相沉积法生长硅掺杂 β-Ga₂O₃ 薄膜的高温退火对电学性能的影响）的文章。

摘要

        通过在异质外延衬底上制备肖特基势垒二极管（SBD）器件特性，研究了采用低压热壁金属有机化学气相沉积（MOCVD）法生长的 Si 掺杂 Ga₂O₃（010）同质外延薄膜的电学性能，以及高温后沉积退火（PDA）对其的影响。所有肖特基二极管在室温下均表现出理想的 n 型肖特基特性，且具有优异的平面均匀性。温度依赖性正向电流密度-电压（J-V-T）特性显示，从室温到200℃的理想因子接近恒定值 1.02±0.01。经 PDA 处理的 SBD 反向击穿电压比未经处理的 SBD 高约 100V。此外，PDA SBD 的反向 J-V-T 特性在整个 200℃ 温度范围内均能通过热离子场发射模型精确复现。这些结果表明，高温 PDA 处理是进一步提升 MOCVD 生长 Ga₂O₃ 外延薄膜电学性能的有效技术手段。

原文链接：

https://doi.org/10.1063/5.0292471