【其他论文】正交 κ-Ga₂O₃ 电子与光学性质的第一性原理研究

        由西安邮电大学的研究团队在学术会议 2025 4th International Symposium on Semiconductor and Electronic Technology (ISSET) 发布了一篇名为First-Principles Investigation on Electronic and Optical Propertie of Orthorhombic κ-Ga₂O₃（正交 κ-Ga₂O₃ 电子与光学性质的第一性原理研究）的文章。

摘要

        本研究针对 κ 相氧化镓（κ−Ga₂O₃）在集成电路与光电子应用中的电子及光学特性，开展了系统性的第一性原理分析。通过广义梯度近似（GGA）方法进行结构优化及能带结构与态密度计算，揭示其具有 2.38 eV 的准直接带隙。通过密度泛函理论（DFT）对介电函数、吸收系数、能量损耗函数、折射率及反射率进行了综合分析。这些理论结果表明 κ-Ga₂O₃ 在电力电子与光子器件领域具有广阔应用前景，为未来器件研发提供了基础性认识。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/ISSET66828.2025.11184923