【外延论文】石英衬底原位硅掺杂对 β-Ga₂O₃ 的影响

        由西安邮电大学的研究团队在学术会议 2025 4th International Symposium on Semiconductor and Electronic Technology (ISSET) 发布了一篇名为Effect of in Situ Si Doping of Quartz Substrates on β-Ga₂O₃（石英衬底原位硅掺杂对 β-Ga₂O₃ 的影响）的文章。

摘要

        通过电子束蒸发法在石英衬底上制备了 β-Ga₂O₃ 薄膜，并研究了退火温度对薄膜结构和电学性能的影响。经 500 ℃ 退火处理的薄膜载流子浓度为 6.55727×10¹⁸ cm⁻³，载流子迁移率为 32.08672 cm²/ Vs。薄膜的高载流子含量归因于衬底中硅元素的扩散，能谱分析证实退火过程确实促进了界面处硅元素向薄膜内部的扩散。还发现薄膜的载流子含量不仅与退火温度相关，还与薄膜表面形态有关，薄膜表面的裂纹也是影响薄膜导电性的关键因素。

原文链接：

https://doi.org/10.1109/ISSET66828.2025.11185033