专家风采
【专家风采】杨伟锋 —— 联盟技术专家委员会委员
日期：2025-11-07阅读：138
个人简介
杨伟锋，厦门大学教授、博士生导师，功率半导体实验室负责人，福建省“闽江学者奖励计划”“外专百人计划”和厦门市“双百计划”入选者，主要研究宽禁带和超宽禁带半导体的外延生长与掺杂机制、器件设计与模拟仿真、芯片制造与模块集成。迄今已在Nature Physics、Energy Storage Materials、Applied Physics Letters、IEEE EDL、IEEE TED等国际知名学术期刊和会议共发表学术论文百余篇，申请发明专利二十余项，部分已完成产业转化。
课题组主页：
http://team.xmu.edu.cn/XMU_PSL/zh_CN/index.htm
成果展示
1. 氧化镓外延生长和器件研究
研究氧化镓同质和异质外延机理，实现晶圆级氧化镓外延生长。研制一系列高性能功率芯片(SBD/HJ/MOSFET等)和日盲紫外光电探测器(MSM/PN/PIN等)，包括首次研制基于CuCrO2/Ga2O3 p-n结的光电探测器二极管和功率二极管。
2. 大功率氮化镓HEMT功率芯片研究
研制面向新能源汽车和工业电机应用的一系列650V E-mode GaN HEMT功率芯片，规格包括50mΩ/25mΩ/10mΩ等，相关芯片关键性能指标已达到国际一流水平，其中10mΩ规格芯片达到全球650V规格商业化同类芯片的最低导通电阻。
3. 基于氮化镓和碳化硅的光伏逆变器研究
通过改进电路与算法创新赋能产品，研制系列高性能基于SiC MOSFET和GaN HEMT的电路模块和光伏逆变器。
4. 碳化硅紫外光电探测器和功率器件研究
研制一系列高性能碳化硅紫外光电探测器和功率器件(MSM/MISIM/PIN/APD/JBS等)。
[1] W. F. Yang* et al, Applied Physics Letters 126(15), 152108 (2025).
[2] W. F. Yang* et al, IEEE Electron Device Letters 46(11), 1966-1969 (2025).
[3] W. F. Yang* et al, IEEE Transactions on Electron Devices 72(8), 4005-4010 (2025).
[4] W. F. Yang* et al, IEEE Sensors Journal 25(13), 24096-24105 (2025).
[5] W. F. Yang* et al, IEEE Transactions on Electron Devices, doi: 10.1109/TED.2025.3621417 (2025).
[6] W. F. Yang* et al, IEEE Transactions on Electron Devices 71(5), 3045-3049 (2024).
[7] W. F. Yang* et al, IEEE Sensors Journal 24(9), 14109-14117 (2024).
[8] W. F. Yang* et al, IEEE Transactions on Electron Devices 71(11), 6934–6941 (2024).
[9] W. F. Yang* et al, IEEE Sensors Journal 24(24), 40717–40724 (2024).
[10] W. F. Yang* et al, IEEE Photonics Technology Letters 36(9), 593-596 (2024).
[11]一种 PN 结栅氧化镓基 MODFET 器件及其制备方法，专利号：202411346806.6
[12]一种具有AlN势垒层的氧化镓肖特基二极管及制备方法，专利号：202311264299.7
[13]采用MBE刻蚀后外延的常关型氧化镓基器件及制备方法，专利号：202310862139.6
[14]一种氧化镓基MIS-HEMT器件及其制备方法，专利号：202111021113.6
[15]一种具有盖帽层的常开型氧化镓基HFET器件及其制备方法，专利号：202110974627.7
[16]一种常关型氧化镓基MIS-HFET器件，专利号：202110493226.X
专家寄语
作为极具潜力的新一代半导体材料，氧化镓发展速度堪称半导体史上的传奇——短短数年间，已在6和8英寸衬底技术上实现商业化突破。不过氧化镓在热传导和p型掺杂等关键技术仍面临挑战，我们期待与业界同仁共同努力，协同攻关，共筑氧化镓生态，推动氧化镓产业和关键技术的发展！
