【外延论文】非晶到晶体转变对 MOCVD 生长 Ga₂O₃ 薄膜结构、光学特性及湿法刻蚀行为的影响

        由韩国海洋大学的研究团队在学术期刊 Micro and Nanostructures 发布了一篇名为 The Influence of Amorphous-to-Crystalline Transition on the Structural and Optical Properties, and Wet Etching Behavior of MOCVD-Grown Ga₂O₃ Thin Films（非晶到晶体转变对 MOCVD 生长 Ga₂O₃ 薄膜结构、光学特性及湿法刻蚀行为的影响）的文章。

摘要

        通过金属有机化学气相沉积法沉积非晶态 Ga₂O₃ 薄膜，并进行退火处理，以探究结晶化对其结构、光学及化学性质的影响。X 射线衍射与原子力显微镜分析证实，结晶化始于 700 ℃ 以上，退火后形成 β-Ga₂O₃ 相。通过紫外-可见光谱和椭圆偏振光谱测定其光学带隙与乌尔巴赫能。随退火温度升高，带隙从 4.85 eV 增至 5.02 eV，而乌尔巴赫能从 479 meV 降至 219.6 meV，表明结构有序性增强。在缓冲氧化物蚀刻剂的湿法蚀刻实验中，非晶薄膜蚀刻速率为 12-17 nm/min。测得活化能为 0.627 eV，表明反应受限机制主导。相比之下，结晶薄膜几乎不发生蚀刻，显示出优异的化学稳定性，有望应用于选择性蚀刻及蚀刻停止层工艺。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208403