【外延论文】基于 BCl₃ 的 β-Ga₂O₃ 先进深离子刻蚀技术用于精密高长宽比纳米结构制备

       由科威特科学研究院的研究团队在学术期刊 Sensors 发布了一篇名为 Advanced BCl₃-Driven Deep Ion Etching of β-Ga₂O₃ for Precision High-Aspect-Ratio Nanostructures（基于 BCl₃ 的 β-Ga₂O₃ 先进深离子刻蚀技术用于精密高长宽比纳米结构制备）的文章。

摘要

       基于氧化镓（Ga₂O₃）的器件在工业安全、石油化工及科研领域具有重要应用。然而，其深刻蚀工艺尚未得到充分研究。刻蚀速率、选择性、均匀性、各向异性及表面质量等关键参数直接影响器件加工的精度与可重复性。针对在苛刻环境中工作的高可靠性传感器需求，本研究开发并系统研究了一种 Ga₂O₃ 深度干法刻蚀技术。研究重点分析了不同晶面化学稳定性，并优化了工艺参数以提升刻蚀深度与均匀性。实验成功实现了最大刻蚀深度达 6.97 μm 的 Ga₂O₃ 深离子刻蚀工艺。该技术进展为高纵横比氧化镓纳米结构的制备提供了可行路径，为极端环境下高性能传感器的实现奠定了基础。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/s25216609