【器件论文】构建 α-Ga₂O₃/Nb₂CTx 异质结用于自供电光电化学日盲紫外光探测器

      由重庆文理学院的研究团队在学术期刊 Materials Science in Semiconductor Processing 发布了一篇名为 Construction of α-Ga₂O₃/Nb₂CT_x heterojunction for self-powered photoelectrochemical solar-blind ultraviolet photodetectors（构建 α-Ga₂O₃/Nb₂CT_x 异质结用于自供电光电化学日盲紫外光探测器）的文章。

摘要

      在氧化镓（Ga₂O₃）与其他适宜材料间构建异质结，是提升光电探测器光电性能的有效途径。本文构建了 α-Ga₂O₃/Nb₂CT_x 异质结自供电光电化学（PEC）日盲紫外（UV）光探测器。在 254 nm 紫外光照射且无外加偏压条件下，该异质结探测器展现出显著增强的光暗电流比（58.1）、响应度（35.4 mA/W）及探测灵敏度（2.6 × 10¹¹ Jones），其性能分别达到纯 α-Ga₂O₃ 光电化学探测器的 2.4 倍、 2.1 倍和 2.2 倍。此外，该异质结探测器具备 0.2 s/0.1 s 的快速响应速度及优异的长期稳定性。其增强的光电特性归因于 α-Ga₂O₃ 的垂直排列纳米棒阵列结构、Nb₂CT_x 的高载流子迁移率与导电性，以及 α-Ga₂O₃/Nb₂CT_x 异质结形成的内建电场——该电场能有效促进界面处光生载流子的分离与直接传输。所构建的 α-Ga₂O₃/Nb₂CT_x 异质结光探测器具有卓越的光电性能，在导弹追踪、光通信和紫外成像等领域具有广阔的应用前景。

原文链接：

https://doi.org/10.1016/j.mssp.2025.110201