【会员新闻】镓仁半导体入选 “2025 年度中国第三代半导体技术十大进展”，以全链条创新领跑全球氧化镓产业

        “2025年度中国第三代半导体技术十大进展” 评选由第三代半导体产业技术创新战略联盟发起，是我国第三代半导体领域最具权威性与影响力的技术奖项之一。评选历经 “43项有效成果征集—33项终评TOP30筛选—专家委员会严苛评审” 三重环节，最终选出的十大进展覆盖碳化硅、氮化镓、氧化镓等核心领域，均为推动产业升级的突破性技术。

图1 2025年度中国第三代半导体技术十大进展

        氧化镓作为超宽禁带半导体核心材料，具备4.85eV禁带宽度与8MV/cm高击穿场强，是高端功率、射频及光电器件研发的关键基础材料，但传统生长方法依赖大量贵金属、成本高昂且与主流硅基产线不兼容。杭州镓仁半导体有限公司依托独创的“铸造法”，破解单晶孪晶缺陷难题，突破多物理场耦合控制、可控掺杂等关键技术，搭建适配大尺寸生长的热场系统，实现稳定生产，兼具成本低、效率高、尺寸易放大等优势，且拥有完全自主知识产权。该成果填补国际大尺寸氧化镓单晶及衬底领域空白，助力我国超宽禁带半导体从“跟跑”到“领跑”，为新能源汽车快充、智能电网等领域提供关键材料支撑。

图2 镓仁半导体入选成果展示

        2025年，镓仁半导体凭借在氧化镓领域的技术突破与产业贡献，斩获多项权威荣誉，持续引领氧化镓产业升级。

        除此次入选 “2025年度中国第三代半导体技术十大进展” 外，公司年初即开启 “荣誉收割模式”：

        一系列荣誉的背后，是镓仁半导体对氧化镓产业的持续深度赋能。

        目前，公司已构建从氧化镓单晶生长、衬底制备、同质外延到专用设备研发的完整技术体系，产品不仅供应国内市场，更吸引国际客户关注，不断推动我国超宽禁带半导体材料国产化进程。

        未来，镓仁半导体将持续深耕氧化镓领域，在更大尺寸、更高质量材料研发与产业化应用上发力，助力中国在全球超宽禁带半导体产业竞争中占据核心地位，为新能源、5G、智能电网等战略产业发展注入 “芯” 动力！