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【会员新闻】杭州富加镓业董事长齐红基发表行业观点：氧化镓产业化有多远？
日期：2025-11-14阅读：129
为提升人工晶体及相关领域科研实力和科学技术水平，进一步推动我国人工晶体事业的发展。第五届人工晶体材料青年学术会议于2025年11月7-9日在福建•福州召开。杭州富加镓业科技有限公司（以下简称富加镓业）董事长齐红基受邀出席大会，并做《超宽禁带半导体氧化镓产业化有多远？》大会邀请报告，报告从我国资源禀赋及能源政策、功率半导体市场需求、氧化镓材料性能及成本优势、氧化镓领域产业化阶段、氧化镓领域产业化落地需要开展工作等几个方面对氧化镓产业进行系统分析。报告从市场需求出发，将氧化镓领域产业化分为有无、有用、好用及想用四个阶段，结合富加镓业的实践，深度剖析氧化镓产业化瓶颈与破局之道，引发与会嘉宾广泛共鸣与热烈讨论。
报告核心观点
1 需求侧
1、我国“煤多气少、风光无限”的资源禀赋及日益快速增长的能源需求，决定了我国特殊的能源政策——必须大力发展新能源；
2、我国 2030、2040、2050、2060 年的新能源目标，催生了对功率器件的爆发式需求，新能源汽车、数据中心、光伏发电、储能、轨道交通等领域的工业基建均需大量高性能半导体材料支撑；
2 氧化镓在未来功率器件地位
1、氧化镓作为超宽禁带半导体核心材料，具备高性能及低成本优势正契合未来功率半导体领域快速增长的需求；
2、我国丰富的镓储量及庞大的下游功率器件市场需求，决定了我国在氧化镓领域的国际领先地位；
3、二十届四中全会、工信部六大产业方向及上海市产业布局对新材料、新能源的重点支持，加速了氧化镓产业化落地进程。
3 氧化镓产业化
1、氧化镓产业化可以分为有无、有用、好用及想用四个阶段，涉及到氧化镓原材料、单晶衬底、外延、器件及模块等链条；
2、氧化镓单晶及外延突破6英寸尺寸后，氧化镓基器件可以借助于成熟的硅功率器件流片线加速迭代；
3、氧化镓单晶衬底及外延片向大尺寸推进过程中应该质量优先，产业化的重点是氧化镓材料缺陷研究和外延薄膜迁移率提升；
4、氧化镓衬底及外延片制备应该提升效率，“一键长晶”装备及MOCVD外延技术为未来单晶衬底及外延片批量制备奠定基础；
5、国内首条年产万片6英寸氧化镓衬底及外延生产线将为我国氧化镓器件产业落地提供材料保障；
6、在氧化镓研发及产业化过程中，人工智能应用将加速实现材料性能迭代，我国在国际主流氧化镓技术路线（EFG及VB）方向的人工智能晶体生长专利布局将在未来国际竞争中争取主动；
7、我国在氧化镓外延领域中MOCVD技术领先优势将显著缩短氧化镓功率器件推向应用市场的时间；
8、我国MBE外延片技术取得突破，并得到了下游客户验证，实现了国产替代及性能提升，有效化解了2022年以来日本对该款产品禁运影响；
9、氧化镓材料低的热导率已经形成了初步解决方案，功率器件散热问题属于工程问题，不是氧化镓产业化原则性障碍；
10、利用MOCVD外延获得的高质量P型薄膜是未来氧化镓器件中P型薄膜的重要技术途径，现阶段P型薄膜研究处于PN结确认及器件验证阶段，从第三方测试结果看，P型氧化镓薄膜性能基本接近器件需求指标；
11、氧化镓器件可靠性研究越来越受到关注，器件可靠性研究将为器件实际应用提供安全保障；
12、国内外氧化镓产业化有用阶段快速推进；氧化镓熔体法制备及MOCVD技术高均匀性，将显著提升氧化镓大尺寸衬底及外延片推进速度；
13、目前国内外丰富的硅基功率器件线为氧化镓器件低成本制备提供流片支撑，进一步加速氧化镓产业化进程。
氧化镓器件快速产业落地是大势所趋，器件与应用场景的快速迭代是决定产业落地的核心，氧化镓材料的缺陷、P型氧化镓材料、氧化镓器件的散热及可靠性是器件未来产业化的重要研究课题，需要氧化镓领域同行携手攻关，早日实现“让世界用上好材料”的目标。
产品介绍
氧化镓设备：
公司研制了国际上首台具备“一键长晶”功能的EFG设备，可以满足2-6英寸晶体生长需求，目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可提供设备及配套工艺包。
公司自行研制了全自动VB晶体生长设备，并在国内率先突破了6英寸单晶生长技术瓶颈，实现了大尺寸VB法单晶制备。目前获得国内授权专利6项，国际授权专利4项，可根据客户需求提供VB设备及工艺包。
公司结合氧化镓脆性、容易解理的特点，研发了2-6英寸氧化镓单晶衬底研磨抛光设备，并可根据客户需要提供成熟的研磨抛光及清洗工艺包。
氧化镓单晶衬底：
作为中国最早投身氧化镓单晶生长研究的先行者与业界领先的供应商，我们致力于为全球客户提供卓越的氧化镓单晶衬底。我们的产品线覆盖5*5.5、10*10.5、2-6英寸等26种常规性氧化镓衬底产品，并能够提供多种尺寸（如10*15，20*20），电学性能与晶向（如(100), (010), (001)）的定制化方案，满足高质量外延片研发及批量制备需求。
氧化镓外延片：
基于成熟的MOCVD（金属有机化学气相沉积）与 MBE（分子束外延）技术平台，我们的产品线覆盖10*10.5、2-6英寸等15种常规性氧化镓外延片产品，及10×15mm定制化MBE氧化镓外延片产品，为客户提供 “衬底-外延”一体化解决方案。外延层生长过程采用精准的工艺控制体系，可根据客户需求定制外延层厚度、掺杂浓度、组分均匀性等关键参数，能够满足不同功率等级、不同功能类型的器件研发与生产需求。
关于杭州富加镓业
杭州富加镓业科技有限公司成立于 2019 年 12 月 31 日，公司以“让世界用上好材料”为愿景，开展超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化工作，核心产品为氧化镓单晶衬底、MOCVD/MBE外延片、布里奇曼法（VB法）及导模法(EFG法)晶体生长装备、衬底研磨抛光装备等，为材料研制提供系统性解决方案，加速超宽禁带氧化镓产业全链路贯通，推进氧化镓材料在功率器件、微波射频器件及光电探测等领域应用。公司在氧化镓领域发展方面取得的系列重要成果已获CCTV1、CCTV2、《人民日报》、新华网、《中国证券报》、澎湃新闻等知名媒体专题宣传报道。
企业荣誉汇总：
2022年获得浙江省科技型中小企业；2023年获得国家高新技术企业；2024年获得杭州市企业高新技术研发中心及浙江省专精特新中小企业；2025年获得ISO9001质量体系认证（编号：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雏鹰”企业；在氧化镓领域，正牵头起草氧化镓领域首个国家标准，并承担了国家发改委项目1项，国家工信部项目1项，参与了国家自然科学基金委、浙江省、上海市等国家及省部级项目3项。另外，获得国际专利授权12项（美国6项，日本6项），国内专利授权40项，“富加镓业”商标认证注册3项，软件著作权（“一键长晶”控制软件）4项。
