【会议论文】金属VPE反应器中Ga₂O₃生长系统的飞行时间质谱研究

        论文简介：来自东京农工大学应用化学系，日本大阳日酸和东京农工大学FLOuRISH研究所的H. Tozato，K. Goto，T. Nishimura，K. Ikenaga，S. Sasaki，M. Ishikawa，H. Machida和 Y. Kumagai联合发表了一篇名为《Time-of-flight mass spectrometric study of Ga₂O₃ growth system in a metalorganic vapor phase epitaxy reactor》的论文文章。该文章介绍了Ga₂O₃的生长系统的研究。