【器件论文】β-Ga₂O₃ 功率二极管的最新进展：综合性综述

        由河南师范大学的研究团队在学术期刊 Inorganics 发布了一篇名为 Recent Progress of β-Ga₂O₃ Power Diodes: A Comprehensive Review（β-Ga₂O₃ 功率二极管的最新进展：综合性综述）的文章。

摘要

        超宽带隙半导体材料 β-氧化镓（β-Ga₂O₃）因其优异的材料特性和成本优势，在下一代高温、高压功率器件制造中具有巨大潜力。此外，β-Ga₂O₃ 还具有高质量、大尺寸、低成本以及可控掺杂等优势，这些特性可通过熔融法实现。其带隙宽度为 4.7–4.9 eV，击穿电场强度高达 8 MV/cm，Baliga 优值（BFOM）高达 3000，分别约为 SiC 和 GaN 的 10 倍和 4 倍。这些特性使 β-Ga₂O₃ 在功率二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）应用中具有强竞争力。目前的大部分研究集中在器件的电学特性上，包括击穿电压（V_BR）、特定导通电阻（R_ON,SP）、功率优值（PFOM）等。考虑到 β-Ga₂O₃ 二极管技术的快速发展，本综述主要介绍不同结构的 β-Ga₂O₃ 功率二极管的研究进展，包括垂直结构和横向结构以及多种先进技术的应用，并对基于 Ga₂O₃ 的高压功率二极管进行了详细分析。本综述有助于深化对 Ga₂O₃ 功率二极管的理论理解，并把握其功率应用方案的发展趋势。

原文链接：

https://doi.org/10.3390/inorganics13110364